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    The investigation of key technologies for sub-0.1-μm CMOS device fabrication
    Jia, Lin ; Zhu, Yajiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), S. 1412-1420
    Online unknown
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    High-performance dual-gate CMOS utilizing a novel self-aligned pocket implantation (SPI) technology
    Segawa, M. ; Yasuhira, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993), S. 1675-1681
    Online unknown
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    An investigation of a molybdenum gate for submicrometer CMOS
    Polasko, K.J. ; Franz, G.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 35 (1988), S. 1432-1438
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 2-µm silicon-gate C-MOS/SOS technology
    Splinter, M.R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 25 (1978-08-01), S. 996-1004
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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