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    (Invited) Comprehensive Assessment of Oxide Memristors As Post-CMOS Memory and Logic Devices
    Marinella, Matthew J. ; Gao, Xujiao ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 72 (2016-04-25), S. 49-58
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Ultra-Thin Body and BOX (UTBB) Device for Aggressive Scaling of CMOS Technology
    Ponoth, Shom ; Kumar, Arvind ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 34 (2011-03-21), S. 37-42
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Engineering High Dielectric Constant Materials for Band-Edge CMOS Applications
    Brown, Stephen L. ; Narayanan, Vijay ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 19-26
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Atomic Layer Deposited HfO2 and HfSiO to Enable CMOS Gate Dielectric Scaling, Mobility, and VTH Stability
    Byoung Hun Lee ; Bersuker, Gennadi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 1 (2006-07-07), S. 15-28
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    (Invited) Reliability and Scaling Perspectives of HfO2-Based OxRAM
    Sandrini, Jury ; Sassine, Gilbert ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 97 (2020-04-24), S. 9-15
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Can 3-D Devices Extend Moore's Law Beyond the 32 nm Technology Node?
    Orlowski, Marius K. ; Wild, Andreas A.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), S. 3-17
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Ti/HfO2 Based RRAM Operation Voltage Scaling for Embedded Memory
    Chen, Wei-Su ; Tsai, Chen-Han ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 52 (2013-03-08), S. 39-44
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Impact of Hf-Precursor Choice on Scaling and Performance of High-k Gate Dielectrics
    Swerts, Johan ; Delabie, Annelies ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 11 (2007-09-28), S. 59-72
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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