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    (Invited) TmSiO as a CMOS-Compatible High-k Dielectric
    Östling, Mikael ; Eugenio Dentoni Litta ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 72 (2016-05-04), S. 79-89
    Online unknown
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    Engineering High Dielectric Constant Materials for Band-Edge CMOS Applications
    Brown, Stephen L. ; Narayanan, Vijay ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 16 (2008-10-03), S. 19-26
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Issues on Interfacial Oxide Layer (IL) in EOT Scaling of High-k/Metal Gate CMOS for 22nm Technology Node and Beyond
    Kirsch, Paul D. ; Chang Seo Park
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 45-52
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Multi-Vibrational Hydrogen Release: A Dielectric Breakdown Model for Ultra-thin SiO2/SiON and High-K Stack
    Mora, Pascal ; Roy, David ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 19 (2009-05-15), S. 195-225
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Impact of Hf-Precursor Choice on Scaling and Performance of High-k Gate Dielectrics
    Swerts, Johan ; Delabie, Annelies ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 11 (2007-09-28), S. 59-72
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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