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    Achievement of Polarity Reversion From Al(Ga)-Polar to N-Polar For AlGaN Film on AlN Seeding Layer Grown By a Novel Flow-Modulation Technology
    Zhuang, Zhe ; Zhang, Jin ; et al.
    2021
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Improved crystal quality of non-polar a-plane GaN epi-layers directly grown on optimized hole-array patterned r-sapphire substrates
    Chen, H. S. ; Jia, Haiqiang ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 2747-2753
    Online unknown
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    Improvement in the crystal quality of non-polar a-plane GaN directly grown on an SiO2 stripe-patterned r-plane sapphire substrate
    Ma, Ziguang ; Deng, Zhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 21 (2019), S. 5124-5128
    Online unknown
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    Highly transparent ammonothermal bulk GaN substrates
    Ehrentraut, Dirk ; D'Evelyn, Mark P. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 403 (2014-10-01), S. 18-21
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Growth studies of GaP on Si by gas-source molecular beam epitaxy
    Bi, Wengang ; Mei, X.B. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 164 (1996-07-01), S. 256-262
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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