Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
44 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

44 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2MOSCAP's : effect of GaAs surface reconstruction
    WEBB, D. J ; FOMPEYRINE, J ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe-PbSrSe MQW structure
    MUKHERJEE, S ; JAIN, S ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 4, S. 665-669
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    LaAlO3 films prepared by MBE on LaAlO3(001) and Si(001) substrates
    GAILLARD, S ; ROZIER, Y ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 146-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Deep levels in MBE grown AlGaAs/GaAs heterostructures
    CAVALLINI, A ; FRABONI, B ; et al.
    In: Proceedings of the 29th Conference on Micro and Nano Engineering, September 22-25, 2003, Cambridge, United Kingdom, Jg. 73-74 (2004), S. 954-959
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Pre-structuring of silicon substrates to investigate MBE-growth of SiGe layers
    DAVID, C ; HARTMANN, R ; et al.
    In: Micro- and Nano- Engineering 98, MNE. Proceedings of the International Conference on Micro- and Nanofabrication, September 22-24 1998, Leuven, Belgium, Jg. 46 (1999), Heft 1-4, S. 275-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MBE-growth of a Ge-CoSi2-Si heterostructure for vertical metal-semiconductor-metal photodetectors
    WINNERL, S ; KAPPIUS, L ; et al.
    In: Proceedings of the fifth european workshop on materials for advanced metallization (MAM 2001), Sigtuna, Sweden, March 5-7, Jg. 60 (2002), Heft 1-2, S. 191-196
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Numerical gate capacitance-voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs
    MANZOLI, J. E ; HIPOLITO, O
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 661-667
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Atom diffusion during MBE growth on patterned substrate
    JIANG, JIAN ; ZHOU, J. X ; et al.
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 409-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Novel quantum wire and quantum dot structures on patterned high-index surfaces by hydrogen-assisted MBE
    PLOOG, K. H ; NÖTZEL, R
    In: New Phenomena in Mesoscopic Structures, NPMS 98, Hawaii, 7-10 December 1998, Jg. 47 (1999), Heft 1-4, S. 209-213
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of RuO2 electrode on laser-MBE prepared HfO2gate dielectrics
    LU, Y. K ; ZHU, W ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 2, S. 371-375
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Spatial confinement of self-organized MBE-grown InxGa1-xAs quantum dots
    QUIVY, A. A ; LEITE, J. R
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 19-23
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical absorption and band gap shift of n-doped AlxGa1-xAs alloys grown by MBE
    FERREIRA DA SILVA, A ; PERSSON, C ; et al.
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 423-429
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Realization of InP-based InGaAs single electron transistors on wires and dots grown by selective MBE
    MURANAKA, T ; OKADA, H ; et al.
    In: New Phenomena in Mesoscopic Structures, NPMS 98, Hawaii, 7-10 December 1998, Jg. 47 (1999), Heft 1-4, S. 201-203
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Focused ion beam doping for GaAs MBE growth
    HASHIMOTO, H ; TAKAMORI, A ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 4 (1986), Heft 3, S. 181-193
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanostructuring of silicon substrates for the site-controlled growth of GaAs/In0.15Ga0.85As/GaAs nanostructures
    USMAN, Muhammad ; ALZOUBI, Tariq ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 97 (2012), S. 59-63
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Growth of InAs quantum-dot hatches on InGaAs/GaAs cross-hatch virtual substrates
    THET, C. C ; PANYAKEOW, S ; et al.
    In: Proceedings of the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, 17-20 September 2006, Jg. 84 (2007), Heft 5-8, S. 1562-1565
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    1.2 nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-passivated GaAs
    EL KAZZI, M ; WEBB, D. J ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1066-1069
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Cubic GaN/AlGaN Schottky-barrier devices on 3C-SiC substrates
    AS, D. J ; POTTHAST, S ; et al.
    In: The Symposium K of the third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005), 3-8 July 2005, Singapore, Jg. 83 (2006), Heft 1, S. 34-36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Process integration of Pr-based high-k gate dielectrics
    MANE, A. U ; WENGER, Ch ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 82 (2005), Heft 2, S. 148-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Influence of ultrathin templates on the epitaxial growth of CrSi2 on Si(001)
    FILONENKO, O ; MOGILATENKO, A ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 324-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -