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In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 24, S. 3099-3101Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3135-3137Online academicJournalZugriff:
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Initial stage of InAs on GaAs grown by molecular-beam epitaxy studied with low-energy ion scatteringIn: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3577-3579Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 12, S. 1209-1211Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 18, S. 1760-1762Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 1, S. 62-64Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 26, S. 2769-2771Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 7, S. 595-597Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 3, S. 170-172Online academicJournalZugriff:
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In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 24, S. 2881-2883Online academicJournalZugriff: