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    academicJournal
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    Deep-Learning-Assisted Physics-Driven MOSFET Current-Voltage Modeling.
    Kao, Ming-Yen ; Kam, H. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-06-01), Heft 6, S. 974-977
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling SiGe FinFETs With Thin Fin and Current-Dependent Source/Drain Resistance.
    Khandelwal, Sourabh ; Duarte, Juan Pablo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), Heft 7, S. 636-638
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Modeling 20-nm Germanium FinFET With the Industry Standard FinFET Model.
    Khandelwal, Sourabh ; Duarte, Juan Pablo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 35 (2014-07-01), Heft 7, S. 711-713
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Unified Compact Model Covering Drift-Diffusion to Ballistic Carrier Transport.
    Khandelwal, Sourabh ; Agarwal, Harshit ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-02-01), Heft 2, S. 134-137
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Modeling SiGe FinFETs With Thin Fin and Current-Dependent Source/Drain Resistance
    Salahuddin, Sayeef ; Hu, Chenming ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 36 (2015-07-01), S. 636-638
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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