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    Investigation of Anomalous Electrical Behaviour in LPE Grown Undoped Hg~1~-~xCD~xTe Epilayers : Physics of semiconductor devices
    Nagpal, A. ; Kumar, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4746, S. 1152-1154
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth and Characterization of Hg~1~-~xCd~xTe Epilayers From Hg-Rich Solution Using LPE : Physics of semiconductor devices
    Kumar, S. ; Nagpal, A. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4746, S. 1108-1110
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of AI~xGa~1~-~xAs/GaAs Heterostructure Using Liquid Phase Epitaxy (LPE) and its Characterization : Physics of semiconductor devices
    Chandrasekaran, N. ; Baskar, K. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 4746, S. 1061-1063
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    GaInAsSb/GaSb Double Heterostructure Light Emitting Diodes Fabricated by LPE from Sb-rich Melts : Physics of semiconductor devices
    Akhmedov, D. ; Deryagin, A. G. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- SPIE THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Jg. 1, Heft E 3316, S. 162-164
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nucleation studies of InGaAs LPE on InP : Physics of semiconductor devices
    Jothilingam, R. ; Dhanasekaran, R. ; et al.
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Quantum Well AlGaAs-Heterostructures Prepared by Low Temperature LPE : Physics of semiconductor devices
    Andreev, V. M.
    In: PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES -INTERNATIONAL WORKSHOP-, , S. 128-128
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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