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    The effect of ultraviolet light on structural properties of exfoliated and CVD graphene.
    Emelianov, A. V. ; Kireev, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-10-24), Heft 17, S. 173101-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Comparison of the effect of boron and nitrogen incorporation on the nucleation behavior and electron-field-emission properties of chemical-vapor-deposited diamond films.
    Lin, I-Nan ; Perng, Kuoguang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-08-28), Heft 9, S. 1277-1279
    Online academicJournal
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    Defect structure and electron field-emission properties of boron-doped diamond films.
    Chen, Yung-Hsin ; Hu, Chen-Ti ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-11-01), Heft 18, S. 2857-2859
    Online academicJournal
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    Growth of thick heavily boron-doped diamond single crystals: Effect of microwave power density.
    Issaoui, R. ; Achard, J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-01), Heft 18, S. 182101-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Simultaneous short-range smoothening and global roughening during growth of hydrogenated amorphous silicon films.
    Sperling, Brent A. ; Abelson, John R.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-18), Heft 16, S. 3456-3458
    Online academicJournal
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    Electroluminescent properties of erbium-doped III-N light-emitting diodes.
    Zavada, J. M. ; Jin, S. X. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-02-16), Heft 7, S. 1061-1063
    Online academicJournal
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    Band gap tailoring of Nd3+-doped TiO2 nanoparticles.
    Li, W. ; Wang, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-11-17), Heft 20, S. 4143-4145
    Online academicJournal
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    Observation of 430 nm electroluminescence from ZnO/GaN heterojunction light-emitting diodes.
    Alivov, Ya. I. ; Van Nostrand, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-06), Heft 14, S. 2943-2945
    Online academicJournal
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    Very high hole mobilities in modulation-doped Ge quantum wells grown by low-energy plasma enhanced chemical vapor deposition.
    von Kanel, Hans ; Kummer, Matthias ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-04-22), Heft 16, S. 2922-2924
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Strong acceptor density and temperature dependences of thermal activation energy of acceptors in a Mg-doped GaN epilayer grown by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Cheong, M. G. ; Kim, K. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-02-11), Heft 6, S. 1001-1003
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Carbon acceptor doping efficiency in GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Mimila-Arroyo, J. ; Lusson, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-11-05), Heft 19, S. 3095-3097
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Influence of microstructure on the carrier concentration of Mg-doped GaN films.
    Romano, L. T. ; Kneissl, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-10-22), Heft 17, S. 2734-2736
    Online academicJournal
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    Effect of phosphorus on Ge/Si(001) island formation.
    Kamins, T. I. ; Ohlberg, D. A. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-04-09), Heft 15, S. 2220-2222
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    Growth of Si delta-doped GaN by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Zhao, G. Y. ; Adachi, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-10-02), Heft 14, S. 2195-2197
    Online academicJournal
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    Second-harmonic spectroscopy of bulk boron-doped Si(001)
    Lim, D. ; Downer, M. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-07-10), Heft 2, S. 181-183
    Online academicJournal
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    Electrical characterization of isoelectronic In-doping effects in GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Chung, H. M. ; Chuang, W. C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 76 (2000-02-14), Heft 7, S. 897-899
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    Direct observation of electron emission site on boron-doped polycrystalline diamond thin films using an ultra-high-vacuum scanning tunneling microscope.
    Kim, Y. D. ; Choi, W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-11-15), Heft 20, S. 3219-3221
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    Phosphorus and arsenic profile control for high performance epitaxial base bipolar junction devices.
    Bashir, R. ; Kabir, A. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-08-09), Heft 6, S. 796-798
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    The incorporation of arsenic in GaN by metalorganic chemical vapor deposition.
    Li, X. ; Kim, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-04-20), Heft 16, S. 1990-1992
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    Composition dependence of room temperature 1.54 μm Er3+ luminescence from erbium-doped silicon:oxygen thin films deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition.
    Shin, Jung H. ; Kim, Mun-Jun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 72 (1998-03-02), Heft 9, S. 1092-1094
    Online academicJournal
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