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    High-temperature molecular beam epitaxial growth of AlGaN/GaN on GaN templates with reduced interface impurity levels.
    Koblmüller, G. ; Chu, R. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-02-15), Heft 4, S. 43527-1- (9S.)
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    Behavior of oxidation-induced stacking faults in annealed Czochralski silicon doped by nitrogen.
    Yang, Deren ; Chu, Jia ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-06-01), Heft 11, S. 8926-8929
    Online academicJournal
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    Electrical and optical properties of beryllium-implanted Mg-doped GaN.
    Yu, Chang-Chin ; Chu, C. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-08-15), Heft 4, S. 1881-1887
    Online academicJournal
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    Profile control in BF3 plasma doping.
    Kwok, Dixon T. K. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-15), Heft 6, S. 3198-3201
    Online academicJournal
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    Gettering of Cu by microcavities in bonded/ion-cut silicon-on-insulator and separation by implantation of oxygen.
    Zhang, Miao ; Zeng, Xuchu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-15), Heft 8, S. 4214-4219
    Online academicJournal
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    Optical and photorefractive properties of Nb-doped BaTiO3.
    Chang, J. Y. ; Chu, C. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-02-15), Heft 4, S. 2318-2322
    Online academicJournal
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    Formation of polycrystalline silicon grains in Si+-preamorphized, BF2+-implanted (111)Si.
    Chu, C. H. ; Chen, L. J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 65 (1989-05-01), S. 3631-3635
    Online academicJournal
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    Diffusion in InP using evaporated Zn3P2 films with transient annealing.
    Wang, Kou-Wei ; Parker, Sandra M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 63 (1988-03-15), S. 2104-2109
    Online academicJournal
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    Atom and acceptor depth distributions for aluminum channeled in silicon as a function of ion energy and crystal orientation.
    Wilson, R. G. ; Jamba, D. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 60 (1986-10-15), S. 2806-2809
    Online academicJournal
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    Substitutional, interstitial, and neutral zinc incorporation into InP grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy.
    Chu, S. N. G. ; Logan, R. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-09-15), S. 3221-3227
    Online academicJournal
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    Zinc incorporation into InP grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy.
    Logan, R. A. ; Chu, S. N. G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996-02-01), S. 1371-1377
    Online academicJournal
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    Concentration dependent Zn diffusion in InP during metalorganic vapor phase epitaxy.
    Chu, S. N. G. ; Logan, R. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-09-01), S. 3001-3007
    Online academicJournal
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    Defects and ion redistribution in implant-isolated GaAs-based device structures.
    Pearton, S. J. ; Ren, F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-12-01), S. 6580-6586
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    Substrate orientation effects on dopant incorporation in InP grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Berger, Paul R. ; Chu, S. N. G. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-04-15), S. 4095-4097
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Transmission electron microscopy study of N+-implanted silicon on insulator by energy-filtered imaging.
    Duan, X. F. ; Du, A. Y. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 70 (1991-08-01), S. 1850-1852
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Cesium doping at C60/rubrene heterointerfaces for improving the performance of organic light- and current-generating devices.
    Cheng, Chiu-Ping ; Lu, Meng-Han ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-01-07), Heft 1, S. 15501-1- (5S.)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Cesium doping at C<subscript>60</subscript>/rubrene heterointerfaces for improving the performance of organic light- and current-generating devices.
    Cheng, Chiu-Ping ; Lu, Meng-Han ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-01-07), Heft 1, S. 15501-1- (5S.)
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    High thermal stability and low electrical resistivity carbon-containing Cu film on barrierless Si.
    Nie, L. F. ; Li, X. N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-05-03), Heft 18, S. 182105-1- (3S.)
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    Morphological and topological analysis of coarsened nanoporous gold by x-ray nanotomography.
    Chen, Yu-chen Karen ; Chu, Yong S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-01-25), Heft 4, S. 43122-1- (3S.)
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    Formation of epitaxial Co1-xNixSi2 nanowires on thin-oxide-capped (001)Si.
    Li, Wun-Shan ; Lee, Chung-Yang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 113 (2013-02-28), Heft 8, S. 83518-83523
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