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    The effect of ultraviolet light on structural properties of exfoliated and CVD graphene.
    Emelianov, A. V. ; Kireev, D. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-10-24), Heft 17, S. 173101-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    Improved electrical transport in Al-doped zinc oxide by thermal treatment
    Ruske, F. ; Roczen, M. ; et al.
    In: Journal of applied physics 107, 013708 (2010). doi:10.1063/1.3269721, 2010
    academicJournal
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    Metal catalyst in CVD growth of carbon nanotubes: role of chemical composition.
    Yazyev, Oleg V. ; Pasquarello, Alfredo
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1199 (2010-01-04), Heft 1, S. 543-544
    Konferenz
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    Sulfur doping of diamond films: Spectroscopic, electronic, and gas-phase studies.
    Petherbridge, James R. ; May, Paul W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-03-15), Heft 6, S. 3605-3613
    Online academicJournal
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    Characterization of boron silicide layer deposited by ultrahigh-vacuum chemical-vapor deposition.
    Tseng, H. C. ; Pan, F. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-11-01), S. 5377-5383
    Online academicJournal
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    Effect of boron doping on the structural properties of polycrystalline silicon films grown at reduced pressures.
    Lin, Horng-Chih ; Lin, Hsiao-Yi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-08-01), S. 1572-1577
    Online academicJournal
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    Modeling of the effect of the buried Si-SiO2 interface on transient enhanced boron diffusion in silicon on insulator.
    Bazizi, E. M. ; Fazzini, P. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-04-01), Heft 7, S. 74503-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Anomalous and normal Hall effect in hydrogenated amorphous Si prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition.
    Crupi, I. ; Mirabella, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-02-15), Heft 4, S. 43503-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Ni doping of semiconducting boron carbide.
    Hong, Nina ; Langell, M. A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-01-15), Heft 2, S. 24513-1- (7S.)
    Online academicJournal
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    Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO:Al films.
    Lu, J. G. ; Fujita, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-04-15), Heft 8, S. 175-181
    Online academicJournal
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    A comparison of plasma-activated N2/O2 and N2O/O2 mixtures for use in ZnO:N synthesis by chemical vapor deposition.
    Barnes, T. M. ; Leaf, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7036-7044
    Online academicJournal
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    Plasma deposition of low dielectric constant (k=2.2~2.4) Boron Nitride on methylsilsesquioxane-based nanoporous films.
    Liu, Jun ; Loh, Kian Ping ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-01), Heft 11, S. 6679-6684
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    Raman scattering and photoluminescence studies of Er-implanted and Er+O coimplanted GaN.
    Song, S. F. ; Chen, W. D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 4930-4934
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    Study of oxygen influences on carbon doped silicon oxide low k thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition.
    Wang, M. R. ; Rusli ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-07-01), Heft 1, S. 829-834
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    Role of growth temperature and the presence of dopants in layer-by-layer plasma deposition of thin microcrystalline silicon (μc-Si:H) doped layers.
    Gordijn, A. ; Rath, J. K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-06-15), Heft 12, S. 8290-8297
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    Extinction ratio improvement of an electroabsorption modulator by using Be as a p-type dopant with small diffusion coefficient.
    Miyazaki, Yasunori ; Hanamaki, Yoshihiko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-04-01), Heft 7, S. 3823-3826
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    Luminescence study of (112̄0) GaN film grown by metalorganic chemical-vapor deposition.
    Chen, Zhen ; Lu, Da-Cheng ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003), Heft 1, S. 316-319
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    Epitaxial growth of n-type SiC using phosphine and nitrogen as the precursors.
    Wang, Rongjun ; Bhat, Ishwara B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-15), Heft 12, S. 7587-7592
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    Ex situ spectroscopic ellipsometry and Raman spectroscopy investigations of chemical vapor deposited sulfur incorporated nanocrystalline carbon thin films.
    Gupta, S. ; Weiner, B. R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-01), Heft 9, S. 5457-5462
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    Characterization of phosphorus-doped and boron-doped diamond-like carbon emitter arrays.
    Tsai, Chia-Lun ; Chen, Chia-Fu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-11-01), Heft 9, S. 4847-4851
    Online academicJournal
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