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652 Treffer

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    Characterization of post-copper CMP surface with scanning probe microscopy: Part II: Surface potential measurements with scanning Kelvin probe force microscopy
    DOMINGET, A ; FARKAS, J ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2355-2358
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Dependence of CMP-induced delamination on number of low-k dielectric films stacked
    LEDUC, Patrick ; FARJOT, Thierry ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2072-2076
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Cu/barrier CMP on porous low-k based interconnect schemes
    GOTTFRIED, K ; SCHUBERT, I ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2218-2224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    CMP characteristics and optical property of ITO thin film by using silica slurry with a variety of process parameters
    CHOI, Gwon-Woo ; LEE, Kang-Yeon ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2213-2217
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Abrasive and additive interactions in high selectivity STI CMP slurries
    PRAVEEN, B. V. S ; MANIVANNAN, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 114 (2014), S. 98-104
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Peeling and delamination in Cu/SiLKprocess during Cu-CMP
    BALAKUMAR, S ; CHEN, X. T ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 161-167
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of different slurry and polishing pad choices on the planarization efficiency of a copper CMP process
    NGUYEN, Viet H ; DAAMEN, Roel ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2004. Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2004, Brussels, Belgium, March 7-10, Jg. 76 (2004), Heft 1-4, S. 95-99
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Strategies for optimal chemical mechanical polishing (CMP) slurry design
    BASIM, G. Bahar ; BROWN, Scott C ; et al.
    In: Surface modification, Jg. 24 (2003), Heft 3-4, S. 499-515
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Novel post CMP cleaning using buffered HF solution and ozone water
    YEH, Ching-Fa ; HSIAO, Chih-Wen ; et al.
    In: ISCSI-4: Proceedings of the Fourth International Symposium on the Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan, October 21-25, 2002, Jg. 216 (2003), Heft 1-4, S. 46-53
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    In-situ end point detection of the STI-CMP process using a high selectivity slurry
    KIM, Sang-Yong ; LEE, Kyoung-Jin ; et al.
    In: IUMRS-ICEM2002, Jg. 66 (2003), Heft 1-4, S. 463-471
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design of experimental optimization for ULSI CMP process applications
    PARKA, Sung-Woo ; KIM, Chul-Bok ; et al.
    In: IUMRS-ICEM2002, Jg. 66 (2003), Heft 1-4, S. 488-495
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A study on the reproducibility of HSS STI-CMP process for ULSI applications
    JEONG, So-Young ; KIM, Sang-Yong ; et al.
    In: IUMRS-ICEM2002, Jg. 66 (2003), Heft 1-4, S. 480-487
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A method for characterizing the pad surface texture and modeling its impact on the planarization in CMP
    VASILEV, Boris ; BOTT, Sascha ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 104 (2013), S. 48-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Exploiting Replicated Cache Blocks to Reduce L2 Cache Leakage in CMPs
    HYUNHEE, KIM ; JUNG HO, AHN ; et al.
    In: IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, Jg. 21 (2013), Heft 10, S. 1863-1877
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Particle adhesion and removal mechanisms in post-CMP cleaning processes
    BUSNAINA, Ahmed A ; HONG, LIN ; et al.
    In: IEEE transactions on semiconductor manufacturing, Jg. 15 (2002), Heft 4, S. 374-382
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Synthesis of non-rigid core-shell structured PS/SiO2 composite abrasives and their oxide CMP performance
    WEIBIN, MU ; MENG, FU
    In: Microelectronic engineering, Jg. 96 (2012), S. 51-55
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A study on the comparison of CMP performance between a novel alkaline slurry and a commercial slurry for barrier removal
    CHENWEI, WANG ; YULING, LIU ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 98 (2012), S. 29-33
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A feature scale Greenwood-Williamson model predicting pattern-size effects in CMP
    VASILEV, Boris ; BOTT, Sascha ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 91 (2012), S. 159-166
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Study on the cleaning of silicon after CMP in ULSI
    YULING, LIU ; KAILIANG, ZHANG ; et al.
    In: IUMRS-ICEM2002, Jg. 66 (2003), Heft 1-4, S. 433-437
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Pad roughness evolution during break-in and its abrasion due to the pad-wafer contact in oxide CMP
    VASILEV, Boris ; BOTT, Sascha ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 111 (2013), S. 21-28
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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