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    In situ HDP-CVD process diagnostics based on quadrupole mass spectrometry
    HUGHES, C ; VAN HOEVMISSEN, J. A. B ; et al.
    In: ISSM '99 : International symposium on semiconductor manufacturing conference (Santa Clara CA, 11-13 october 1999), 1999, S. 209-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Pulsed plasma CVD of fluorocarbon thin films
    LABELLE, C. B ; LAU, K. K. S ; et al.
    In: IITC : international interconnect technology conference (San Francisco CA, 24-26 May 1999), 1999, S. 56-58
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrostatically-actuated micro cantilevers for electro-mechanical measurement of single-walled carbon nanotubes grown by catalytic CVD
    HOSHINO, Kazunori ; MURAKAMI, Yoichi ; et al.
    In: 17th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS 2004 technical digest), 2004, S. 446-449
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A high reliability GaN HEMT with SiN passivation by cat-CVD
    KUNII, Tetsuo ; TOTSUKA, Masahiro ; et al.
    In: Technical digest 2004, 2004, S. 197-200
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Time-dependent dielectric breakdown in poly-Si CVD HfO2 gate stack
    LEE, S. J ; LEE, C. H ; et al.
    In: 2002 IEEE international reliability physics symposium proceedings (Dallas TX, 7-11 April 2002), 2002, S. 409-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermally stable CVD HfOxNy advanced gate dielectrics with poly-Si gate electrode
    CHOI, C. H ; RHEE, S. J ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 857-860
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel shallow trench isolation process using flowable oxide CVD for sub-100nm DRAM
    CHUNG, Sung-Woong ; AHN, Sang-Tae ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 233-236
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CVD polycrystalline diamond high-Q micromechanical resonators
    JING, WANG ; BUTLER, James E ; et al.
    In: MEMS 2002 : micro electro mechanical systems (Las Vegas NV, 20-24 January 2002), 2002, S. 657-660
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    90 nm generation Cu/CVD Low-k (k<2.5) interconnect technology
    BAO, T. I ; KO, C. C ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 583-586
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Throughput analysis and productivity enhancement for CVD equipment
    HONG, Joo-Pyo ; KIM, Jung-Kyoo ; et al.
    In: 2004 IEEE / SEMI advanced semiconductor manufacturing conference and workshop (Boston MA, May 4-6, 2004), 2004, S. 48-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Integration of a novel, high quality Si3N4 metal insulator metal (MIM) capacitors deposited by (ICP-CVD) at room temperature with 50nm T-gate InP-hemts to realise monolithic millimetre-wave integrated circuits (MMMICS)
    ELGAID, K ; MCLELLAND, H ; et al.
    In: 2004 international conference on indium phosphide and related materials (16th IPRM, 2004, S. 183-186
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CVD diamond for cold cathode applications
    TZENG, Y ; LIU, C ; et al.
    In: Proceedings of the 26th international power modulator symposium and 2004 high voltage workshop (2004 IEEE international power modulator conference), 2004, S. 333-336
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Advantages of thick CVD gate oxide for trench MOS gate structures
    NAKAMURA, Katsumi ; KUSUNOKI, Shigeru ; et al.
    In: 12th international symposium on power semiconductor devices & ICs (Toulouse, 22-25 May 2000), 2000, S. 83-86
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Improving throughput in 0.25 pm technology development and manufacturing: CVD TiN liner barrier applications
    BRENNAN, B ; RIVERA, W ; et al.
    In: ISSM '99 : International symposium on semiconductor manufacturing conference (Santa Clara CA, 11-13 october 1999), 1999, S. 313-316
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD
    JONES, R. E ; THOMAS, S. G ; et al.
    In: Electron devices (San Francisco CA, 8-11 December 2002, technical digest), 2002, S. 793-796
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Development of a hybrid CVD / SOD integration sequence for reliable, high performance interconnect systems
    WAETERLOOS, J ; CUMMINGS, S ; et al.
    In: 2004 IEEE / SEMI advanced semiconductor manufacturing conference and workshop (Boston MA, May 4-6, 2004), 2004, S. 433-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Process optimisation and dual damascene integration of porous CVD SiOC dielectric at 2.4 and 2.2 k-values for 45 nm CMOS technology
    ARNAL, V ; HOOFMAN, R. J. O. M ; et al.
    In: IEEE 2004 international interconnect technology conference (Proccedings), 2004, S. 202-204
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optimization of copper CVD film properties using the precursor of Cu(hfac)(tmvs) with variations of additive content
    ZHANG, M ; KOBAYASHI, A ; et al.
    In: IITC : international interconnect technology conference (San Francisco CA, 24-26 May 1999), 1999, S. 170-172
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Highly <111> textured Cu film formation on CVD-TiN film by Ti underlayer and Ar sputter etch for damascene interconnection
    SEKIGUCHI, M ; SATO, H ; et al.
    In: IITC : international interconnect technology conference (San Francisco CA, 24-26 May 1999), 1999, S. 116-118
    Konferenz
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    A mechanism of stress-induced metal void in narrow aluminum-based metallization with the HDP CVD oxide dielectric
    SOO GEUN, LEE ; OH, H.-S ; et al.
    In: IITC : international interconnect technology conference (San Francisco CA, 24-26 May 1999), 1999, S. 149-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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