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    A loadless CMOS four-transistor SRAM cell in a 0.18-micromillimeter logic technology
    Noda, Kenji ; Matsui, Koujirou ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2851-2855
    Online academicJournal
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    CMOS APS MTF modeling
    Shcherback, Igor ; Yadid-Pecht, Orly
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2710-2715
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Modeling CMOS tunneling currents through ultrathin gate oxide due to conduction- and valence-band electron and hole tunneling
    Lee, Wen-Chin ; Hu, Chenming
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), Heft 7, S. 1366-1373
    Online academicJournal
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    Volltext
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    High-speed CMOS circuit testing by 50 ps time-resolved luminescence measurements
    Stellari, Franco ; Zappa, Franco ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2830-2835
    Online academicJournal
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    The effects of fluorine on parametrics and reliability in a 0.18-micronm 3.5/6.8 nm dual gate oxide CMOS technology
    Hook, Terence B. ; Adler, Eric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), Heft 7, S. 1346-1353
    Online academicJournal
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    Three-dimensional CMOS SOI integrated circuit using high-temperature metal-induced lateral crystallization
    Chan, Victor W.C. ; Chan, Philip C.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-07-01), Heft 7, S. 1394-1399
    Online academicJournal
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    Impact of gate direct tunneling current on circuit performance: a simulation study
    Choi, Chang-Hoon ; Nam, Ki-Young ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2823-2829
    Online academicJournal
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    To optimize electrical properties of the ultrathin (1.6 nm) nitride/oxide gate stacks with bottom oxide materials and post-deposition treatment
    Chen, Chein-Hao ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-12-01), Heft 12, S. 2769-2776
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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