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    Occurrence of layerlike growth mode in the formation of hydrogenated amorphous silicon film on graphite from SiH3 radicals
    KAWASAKI, M ; KAWAGUCHI, Y
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 24, S. 3099-3101
    Online academicJournal
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    Intermittent ultraviolet irradiation for silicon selective epitaxial growth
    MIYATA, N ; YAMAZAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 588-590
    Online academicJournal
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    Single-crystalline, epitaxial cubic SiC films grown on (100) Si at 750°C by chemical vapor deposition
    GOLECKI, I ; REIDINGER, F ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1703-1705
    Online academicJournal
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    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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    Organometallic vapor-phase homoepitaxy of gallium arsenide assisted by a downstream hydrogen afterglow plasma in the growth region
    PIHLSTROM, B. G ; SHENG, T. Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3144-3146
    Online academicJournal
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    In situ diamond growth rate measurement using emission interferometry
    SNAIL, K. A ; MARKS, C. M
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 25, S. 3135-3137
    Online academicJournal
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    Improved InP regreowth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by addition of CCI4
    NORDELL, N ; BORGLIND, J
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 1, S. 22-24
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    Lateral quantum well wires fabricated by selective metalorganic chemical vapor deposition
    FUKUI, T ; ANDO, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 57 (1990), Heft 12, S. 1209-1211
    Online academicJournal
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    Absence of 13C incorporation in 13CCl4-doped InP grown by metalorganic chemical vapor deposition
    CUNNINGHAM, B. T ; BAKER, J. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 18, S. 1760-1762
    Online academicJournal
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    Multiwafer growth of CdTe on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition in a vertical, high-speed, rotating disk reactor
    TOMPA, G. S ; NELSON, C. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 1, S. 62-64
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs
    COLAS, E ; BHAT, R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
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    Spatially selective photochemical vapor deposition of GaAs on synthetic fused silica
    NORTON, D. P ; AJMERA, P. K
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 7, S. 595-597
    Online academicJournal
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    Chemical beam epitaxial growth of extremely high quality InGaAs on InP
    TSANG, W. T ; DAYEM, A. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 3, S. 170-172
    Online academicJournal
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    Atmospheric photoassisted chemical vapor deposition of Si using ultraviolet-light irradiated H2 carrier gas and nonexcited SiH2Cl2
    MOTAHARUL KABIR, MAZUMDER ; TAKAKUWA, Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 24, S. 2881-2883
    Online academicJournal
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    Kinetics of nucleation and growth of Si on SiO2 in very low pressure SiH4 chemical vapor deposition
    DANA, S. S ; LIEHR, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 25, S. 3035-3037
    Online academicJournal
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    Kinetics of surfaces reactions in very low-pressure chemical vapor deposition of Si from SiH4
    GATES, S. M ; KULKARNI, S. K
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 25, S. 2963-2965
    Online academicJournal
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