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    Modified hot wall epitaxy (HWE) apparatus and preparation of ZnSxSe1-x films
    QINGJU, MENG ; BAIJUN, CHEN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 121 (1992), Heft 1-2, S. 191-196
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth and characterization of CuAlSe2(112)/GaAs(100) heteroepitaxial layers grown by hot wall epitaxy method
    YOU, S. H ; HONG, K. J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 290 (2006), Heft 1, S. 18-23
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films
    SAMOYLOV, A. M ; BELENKO, S. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 351 (2012), Heft 1, S. 149-154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of the band offset for ZnSe(100)/GaAs(100) heterojunctions grown by hot wall epitaxy
    YI, YANG ; YUKUN, YANG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 158 (1996), Heft 4, S. 455-458
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of ZnSe/GaAs(100) by hot wall epitaxy
    LEE, C.-H ; CHOI, Y.-D ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 167 (1996), Heft 3-4, S. 473-477
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A TEM evaluation of CdTe epilayers grown on precisely oriented (111)B GaAs by hot wall epitaxy
    HOBBS, A ; UEDA, O ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 126 (1993), Heft 4, S. 605-612
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Analysis of strain and impurity distribution in II-VI epilayers with optical methods
    KUDLEK, G ; GUTOWSKI, J
    In: Optical properties of wide band gap II-VI semiconductors, Jg. 52 (1992), Heft 1-4, S. 55-69
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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