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    In situ doping of diamond coatings with silicon, aluminum and titanium through a modified laser-based CVD process
    SCHWANDER, Michael ; VOLLERTSEN, Frank
    In: Diamond and related materials, Jg. 41 (2014), S. 41-48
    academicJournal
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    Identification and gas phase kinetics of radical species in Cat-CVD processes of SiH4
    NOZAKI, Yoshitaka ; KITAZOE, Makiko ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 47-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth mechanisms and structural properties of microcrystalline silicon films deposited by catalytic CVD
    NIIKURA, C ; KIM, S. Y ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 178-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The role of hydrogen dilution of silane and phosphorus doping on hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films prepared by hot-wire chemical vapor deposition (HW-CVD) technique
    JADKAR, S. R ; SALI, J. V ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 206-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescent, wide-bandgap a-SiC:H alloy films deposited by Cat-CVD using acetylene
    KUMBHAR, Alka ; PATIL, Samadhan B ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 244-248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Correlated structural and electronic properties of microcrystalline silicon films deposited at low temperature by catalytic CVD
    BOUREE, J. E
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 157-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hot-wire CVD-grown microcrystalline silicon films with and without initial growing layer modification by transformer-coupled plasma
    KIM, D. Y ; AHN, B. J ; et al.
    In: Proceedings of the First International Conference on Cat-CVD (Hot-Wire CVD) Process, Kanazawa, Japan, November 14-17, 2000, Jg. 395 (2001), Heft 1-2, S. 184-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Leidenfrost temperature related CVD-like growth mechanism in ZnO-TFTs deposited by pulsed spray pyrolysis
    ORTEL, Marlis ; WAGNER, Veit
    In: Journal of crystal growth, Jg. 363 (2013), S. 185-189
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of different carbon source gases on preparation and properties of a-Si1-XCX:H alloy films including μc-Si:H by hot-wire CVD
    ITOH, T ; FUJIWARA, T ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part B, Jg. 299302 (2002), S. 880-884
    Konferenz
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    Low-temperature growth of epitaxial ( 1 0 0) silicon based on silane and disilane in a 300 mm UHV/CVD cold-wall reactor
    ADAM, T. N ; BEDELL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 23, S. 3473-3478
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reduced order model for the CVD of epitaxial silicon from silane and chlorosilanes
    VALENTE, Gianluca ; CAVALLOTTI, Carlo ; et al.
    In: Modeling in Crystal Growth: proceedings of the third International Workshop, Hauppauge, New York, USA, 18-20 October 2000, Jg. 230 (2001), Heft 1-2, S. 247-257
    Konferenz
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    High growth rate 4H-SiC epitaxial growth using dichlorosilane in a hot-wall CVD reactor
    CHOWDHURY, Iftekhar ; CHANDRASEKHAR, M. V. S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 316 (2011), Heft 1, S. 60-66
    academicJournal
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    Simple CVD routes towards infiltration of mesoporous TiO2
    WATERS, John P ; SMYTH-BOYLE, David ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 11 (2005), Heft 5, S. 254-260
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Properties of silicon oxide films deposited by plasma-enhanced CVD using organosilicon reactants and mass analysis in plasma
    INOUE, Y ; TAKAI, O
    In: Proceedings of the 1st Asian-European International Conference on Plasma Surface Engineering, Jg. 341 (1999), Heft 1-2, S. 47-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth and doping modeling of SiC-CVD in a horizontal hot-wall reactor
    NISHIZAWA, Shin-Ichi ; PONS, Michel
    In: Special issue on silicon carbide CVD for electronic device applications, Jg. 12 (2006), Heft 8-9, S. 516-522
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 2 : Modélisation du dépôt de silicium pur à partir de silane et de silicium dopé in situ au phosphore / A new technology for CVD reactors. Part 2 : Modeling of polycristalline silicon deposition from silane and in situ phosphorus doped polysilicon deposition
    VERGNES, Huges ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 803-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    LP-CVD silicon-based film formation in submicrometer trenches in industrial equipment: Experiments and simulation
    GRIS, Hervé ; CAUSSAT, Brigitte ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 8 (2002), Heft 5, S. 213-219
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Incubation time during the CVD of Si onto SiO2 from silane
    KAJIKAWA, Yuya ; TSUCHIYA, Toshihiro ; et al.
    In: Chemical vapor deposition (Print), Jg. 10 (2004), Heft 3, S. 128-133
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Une nouvelle technologie d'appareils de dépôt chimique en phase vapeur. Partie 1 : Présentation et analyse des résultats expérimentaux / A new technology for CVD reactors. Part 1 : Presentation and analysis of experimental results
    VERGNES, Hugues ; DUVERNEUIL, Patrick ; et al.
    In: Canadian journal of chemical engineering, Jg. 78 (2000), Heft 4, S. 793-802
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/GeH4
    YU, ZHUO ; LI, DAIZONG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 218 (2000), Heft 2-4, S. 245-249
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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