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    Growth temperature dependence of exciton lifetime in wurtzite InP nanowires grown on silicon substrates.
    Chauvin, N. ; Hadj Alouane, M. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-01-02), Heft 1, S. 11906-11909
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Surface loss rates of H and Cl radicals in an inductively coupled plasma etcher derived from time-resolved electron density and optical emission measurements.
    Curley, G. A. ; Gatilova, L. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-03-01), Heft 2, S. 360-372
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of a Cl2–H2 inductively coupled plasma etching process adapted to nonthermalized InP wafers for the realization of deep ridge heterostructures.
    Guilet, S. ; Bouchoule, S. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures, Jg. 24 (2006-09-01), Heft 5, S. 2381-2387
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of isolated cubic GaN quantum dots by low-temperature cathodoluminescence
    Garayt, J.P. ; Gérard, J.M. ; et al.
    In: Physica E, Jg. 26 (2005-02-01), Heft 1-4, S. 203-206
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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