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    Layer by layer growth of ZnO on (0001) sapphire substrates by radical-source molecular beam epitaxy : ZnO and related materials
    El-Shaer, A. ; Bakin, A. ; et al.
    In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Jg. 42 (2007), Heft 1-6, S. 158-164
    Konferenz
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    Growth of wide band gap wurtzite ZnMgO layers on (0001) Al2O3 by radical-source molecular beam epitaxy : ZnO and related materials
    El-Shaer, A. ; Bakin, A. ; et al.
    In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Jg. 42 (2007), Heft 1-6, S. 129-133
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Vapour phase transport growth of ZnO layers and nanostructures : ZnO and related materials
    Bakin, A. ; Che Mofor, A. ; et al.
    In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Jg. 42 (2007), Heft 1-6, S. 33-39
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Polarity dependence of In-rich InGaN ternary alloys grown by RF-MBE : International workshop on nitride semiconductors(IWN 2006)
    Shinada, T. ; Che, S. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C, Jg. 4 (2007), Heft NO 7, S. 2478-2481
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Alloy composition fluctuation and band edge energy structure of In-rich InxGa1-xN layers investigated by systematic spectroscopy : International workshop on nitride semiconductors(IWN 2006)
    Ishitani, Y. ; Fujiwara, M. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C, Jg. 4 (2007), Heft NO 7, S. 2428-2432
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Polarity Dependence of In-Rich InGaN and InN/InGaN MQWs : GaN, AIN, InN and related materials: symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A.
    Che, S. B. ; Shinada, T. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 892 (2006), S. 83-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of 20 periods InN/InGaN MQWs : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Che, S. B. ; Ishitani, Y. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1953-1957
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Conduction and valence band edge properties of hexagonal InN characterized by optical measurements : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Ishitani, Y. ; Terashima, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1850-1853
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth of In-polar and N-polar InN nanocolumns on GaN templates by molecular beam epitaxy : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Wang, X. ; Che, S. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1561-1565
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Fabrication of InN/AlInN MQWs by RF-MBE : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Terashima, W. ; Che, S. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1591-1594
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study on influence of atomic hydrogen irradiation on growth and property of N-polarity InN : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Che, S. B. ; Akasaka, K. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1540-1543
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Towards fabrication of In-polar InN films and InN/GaN MQWs : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Yamaguchi, W. ; Che, S. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 3 (2006), Heft 6, S. 1511-1514
    Konferenz
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    Temperature-dependent growth and characterization of N-polar InN films by molecular beam epitaxy : International conference on nitride semiconductors; ICNS-6
    Wang, X. ; Che, S. B. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI B BASIC RESEARCH, Jg. 243 (2006), Heft NO 7, S. 1456-1460
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhanced Mobility for Pentacene TFT Built on NH~3-Annealed Thermally Grown SiO~2 : Electron devices and solid-state circuits; EDSSC '05
    Kwan, M. C. ; Cheng, K. K. H. ; et al.
    In: IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, 2005, S. 567-570
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Bandgap energy of InN and its temperature dependence : Papers presented at the international workshop on nitride semiconductors (IWN 2004)
    Ishitani, Y. ; Masuyama, H. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 2 (2005), Heft NO 7, S. 2276-2280
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    InN/GaN SQW and DH structures grown by radio frequency plasma-assisted MBE : Papers presented at the international workshop on nitride semiconductors (IWN 2004)
    Che, S. B. ; Terashima, W. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI C CONFERENCES, Jg. 2 (2005), Heft NO 7, S. 2258-2262
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    MBE Growth and Characterization of Device-Quality Thick InN Epilayers; Comparison Between N-Polarity and In-Polarity Growth Processes : GaN, A1N, InN and their alloys
    Yoshikawa, A. ; Ishitani, Y. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 831 (2004), S. 265-278
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    RF-MBE Growth of InN Dots on N-Polar GaN Grown on Vicinal c-Plane Sapphire : GaN, A1N, InN and their alloys
    Hashimoto, N. ; Kikukawa, N. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 831 (2004), S. 285-290
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Temperature Dependence of the Optical Properties for InN Films Grown by RF-MBE : Symposium on GaN and Related Alloys; GaN and related alloys--2003: symposium held December 1-5, 2003, Boston, Massachusetts, U.S.A.
    Ishitani, Y. ; Xu, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 798 (2004), S. 207-212
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Novel ZnCdSe/BeZnTe Type- II Superlattice Structure Grown on InP Substrates by MBE : Physics of semiconductors and applications
    Che, S. B. ; Nomura, I. ; et al.
    In: JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY, Jg. 39 (2001), Heft SUPP, S. S18- (5S.)
    Online Konferenz
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