Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
6 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

6 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy : International conference on nitride semiconductors
    Sanorpim, S. ; Nakajima, F. ; et al.
    In: PHYSICA STATUS SOLIDI A APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, Jg. 203 (2006), Heft NO 7, S. 1612-1617
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    LP-MOVPE growth of InAs quantum dots using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N2 ambient : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Huang, G. S. ; Tang, X. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 444-448
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Lasing properties of AlGaAs/GaAs material diode lasers grown by MOCVD using TBA in N2 ambient : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Bo, B. ; Tang, X. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 415-419
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    MOCVD growth of InGaAsP/InGaAs multi-step-quantum well structure for QWIP application by using TBA and TBP in N2 ambient : Compound semiconductors in electronic and optoelectronic applications
    Zhao, J. H. ; Tang, X. H. ; et al.
    In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Jg. 268 (2004), Heft NO 3-4, S. 432-436
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Indium Phosphide (InP) Based Heterostructure Materials and Devices Grown by MOCVD Using Tertiarybutylarsine (TBA) Tertiarybutylphosphine (TBP) : Physics of semiconductors and applications
    DenBaars, S. P. ; Holmes, A. L. ; et al.
    In: JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY, Jg. 28, Heft SUP//1, S. S37- (6S.)
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    TuA1.4 Correlations between In Composition and Tertiarybutylarsine (TBAs) Flow Rate in InGaNAs/GaN Multiple Quantum Well by Metalorganic Chemical Vapor Deposition : International symposium on compound semiconductors
    In: IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS, 2003, S. 87-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -