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    Radiation and High-Voltage Tolerant Space CAN Driver in Standard Low-Voltage 3.3-V CMOS Technology.
    Jansen, R. J. E. ; Lindner, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2204-2211
    Online academicJournal
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    SET and SEU Analyses Based on Experiments and Multi-Physics Modeling Applied to the ATMEL CMOS Library in 180 and 90-nm Technological Nodes.
    Hubert, G. ; Truyen, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3178-3186
    Online academicJournal
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    The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of 65 nm RF-CMOS on SOI.
    Madan, Anuj ; Verma, Rohan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3256-3261
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Device-Physics-Based Analytical Model for Single-Event Transients in SOT CMOS Logic.
    Kobayashi, Daisuke ; Hirose, Kazuyuki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-12-01), Heft 6, S. 3043-3049
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A Radiation Hard Bandgap Reference Circuit in a Standard 0.13 μm CMOS Technology.
    Gromov, Vladimir ; Annema, Anne Johan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-02), Heft 6, S. 2727-2733
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Impact of 24-GeV Proton Irradiation on 0.13-μm CMOS Devices.
    Gerardin, Simone ; Gasperin, Alberto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1917-1922
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Crosstalk Effects Caused by Single Event. Hits in Deep Sub-Micron CMOS Technologies.
    Balasubramanian, A. ; Sternberg, A. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3306-3311
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Bias Dependence of Gate Oxide Degradation of 90 nm CMOS Transistors Under 60 MeV Proton Irradiation.
    David, M. L. ; Simoen, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1959-1966
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Hardness-by-Design Approach for 0.15 μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices With Enhanced SEU/SET Immunity.
    Makihara, A. ; Midorikawa, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2524-2530
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Radiation-Induced Edge Effects in Deep Submicron CMOS Transistors.
    Faccio, Federico ; Cervelli, Giovanni
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 52 (2005-12-01), Heft 6, S. 2413-2420
    Online academicJournal
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    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Design, Fabrication, and Test of CMOS Active-Pixel Radiation Sensors.
    Passeri, Daniele ; Placidi, Pisana ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 51 (2004-06-03), Heft 3, S. 114-119
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Total Dose Effects in CMOS Trench Isolation Regions.
    Johnston, A. H. ; Swimm, R. T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-02), Heft 4, S. 1941-1949
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Modeling Inter-Device Leakage in 90 nm Bulk CMOS Devices.
    Sanchez Esqueda, Ivan ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 793-799
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 12-Channel CMOS Preamplifier-Shaper-Discriminator ASIC for APD and Gas Counters.
    Yeom, J. Y. ; Defendi, I. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-02), Heft 4, S. 2204-2208
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design Optimization of Charge Preamplifiers With CMOS Processes in the 100 nm Gate Length Regime.
    Ratti, Lodovico ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-02-02), Heft 1, S. 235-242
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Mixed-Signal Spectroscopic-Grade and High-Functionality CMOS Readout Cell for Semiconductor X-γ Ray Pixel Detectors.
    Caccia, Stefano ; Bertuccio, Giuseppe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-10-02), S. 2721-2726
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Altitude SEE Test European Platform (ASTEP) and First Results in CMOS 130 nm SRAM.
    Autran, Jean-Luc ; Roche, Philippe ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-08-02), S. 1002-1009
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comparison of a BSIM3V3 and EKV MOSFET Model for a 0.5 μm CMOS Process and Implications for Analog Circuit Design.
    Terry, Stephen C. ; Rochelle, James M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 50 (2003-08-01), Heft 4, S. 915-920
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Single-Event-Hardened Phase-Locked Loop Fabricated in 130 nm CMOS.
    Loveless, T. D. ; Massengill, L. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2012-2020
    Online academicJournal
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    Effect of Well and Substrate Potential Modulation on Single Event Pulse Shape in Deep Submicron CMOS.
    DasGupta, S. ; Wituiski, A. F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 6, S. 2407-2412
    Online academicJournal
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