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    Resonance fluorescence of a site-controlled quantum dot realized by the buried-stressor growth technique.
    Strauß, Max ; Kaganskiy, Arsenty ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-03-13), Heft 11, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Direct patterning of organic light-emitting devices by organic-vapor jet printing.
    Sun, Yiru ; Shtein, Max ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-03-14), Heft 11, S. 113504-113504
    Online academicJournal
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    Direct patterning of organic light-emitting devices by organic-vapor jet printing.
    Sun, Yiru ; Shtein, Max ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-03-14), Heft 11, S. 113504-113506
    Online academicJournal
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    Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs.
    Petitdidier, S. ; Guhel, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-04-17), Heft 16, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Oxygen incorporation in Ti<subscript>2</subscript>AlC: Tuning of anisotropic conductivity.
    Rosen, J. ; Dahlqvist, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-08-16), Heft 7, S. 73103-73105
    Online academicJournal
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    AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor on 4 in. silicon substrate for high breakdown characteristics.
    Selvaraj, S. Lawrence ; Ito, Tsuneo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-04-23), Heft 17, S. 173506-173508
    Online academicJournal
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    Enhancement of channel conductivity in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors by AlGaN:Si back barrier.
    Cho, E. ; Brunner, F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 99 (2011-09-05), Heft 10, S. 103505-103507
    Online academicJournal
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    Effects of gate bias on hot-carrier reliability in drain extended metal-oxide-semiconductor transistors.
    Wu, K. M. ; Chen, J. F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-10-30), Heft 18, S. 183522-183524
    Online academicJournal
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    Polymer PBT/n-GaN metal–insulator–semiconductor structure.
    Tu, L. W. ; Tsao, P. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 79 (2001-12-31), Heft 27, S. 4589-4591
    Online academicJournal
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    Charge carrier scattering and ultrafast Auger dynamics in two-dimensional superatomic semiconductors.
    Kim, Heejae ; Lee, Kihong ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 116 (2020-05-18), Heft 20, S. 1-5
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    On-chip mid-infrared and THz frequency combs for spectroscopy.
    Scalari, Giacomo ; Faist, Jérôme ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-04-15), Heft 15, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-resolution, background-free spectroscopy of shallow-impurity transitions in semiconductors with a terahertz photomixer source.
    Wienold, M. ; Pavlov, S. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 114 (2019-03-04), Heft 9, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Effect of buried extended defects on the radiation tolerance of ZnO.
    Azarov, Alexander ; Wendler, Elke ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-04-24), Heft 17, S. 1-5
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electron scattering times in ZnO based polar heterostructures.
    Falson, J. ; Kozuka, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-08-24), Heft 8, S. 1-4
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Sub-band level-assisted photoconduction in epitaxial BiFeO<subscript>3</subscript> films.
    Bhatnagar, Akash ; Young Heon Kim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-22), Heft 12, S. 1-4
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sub-band level-assisted photoconduction in epitaxial BiFeO3 films.
    Bhatnagar, Akash ; Young Heon Kim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-22), Heft 12, S. 1-4
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    On the nature of the Mn-related states in the band structure of (Ga,Mn)As alloys via probing the E<subscript>1</subscript> and E<subscript>1</subscript> +Δ<subscript>1</subscript> optical transitions.
    Gluba, L. ; Yastrubchak, O. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
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    On the nature of the Mn-related states in the band structure of (Ga,Mn)As alloys via probing the E1 and E1 +Δ1 optical transitions.
    Gluba, L. ; Yastrubchak, O. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Crucial role of implanted atoms on dynamic defect annealing in ZnO.
    Yu. Azarov, A. ; Wendler, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-02-03), Heft 5, S. 52101-1- (4S.)
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    Maxwell-Wagner polarization in Cu(In,Ga)(S,Se)2.
    Reislöhner, U. ; Ronning, C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-06-18), Heft 25, S. 252111-252114
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