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    Performance of current-in-plane pseudo-spin-valve devices on CMOS silicon-on-insulator underlayers.
    Katti, R. R. ; Zou, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-05-15), Heft 10, S. 7298-7300
    Online academicJournal
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    Analog performance of the nanoscale double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor near the ultimate scaling limits.
    Jiménez, D. ; Iñíguez, B. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 5271-5276
    Online academicJournal
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    Electrothermal theory of photomodulated optical reflectance on active doping profiles in silicon.
    Bogdanowicz, Janusz ; Dortu, Fabian ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-11-15), Heft 10, S. 104908-1- (25S.)
    Online academicJournal
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    Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation.
    Di, Zengfeng ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-03-15), Heft 6, S. 064504-64504
    Online academicJournal
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    DNA detection using a complementary metal-oxide semiconductor ring oscillator circuit.
    Kocanda, Martin ; Abdel-Motaleb, Ibrahim
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-15), Heft 4, S. 76103-1- (3S.)
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    academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO<subscript>2</subscript>, and Ta<subscript>2</subscript>SnO<subscript>6</subscript>.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO2, and Ta2SnO6.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO<subscript>2</subscript>, and Ta<subscript>2</subscript>SnO<subscript>6</subscript>.
    Hu, Yaoqiao ; Hwang, Jeongwoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-11-14), Heft 18, S. N.PAG- (10S.)
    Online academicJournal
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    A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor three-context memory bit cell for non-volatile circuit design.
    Jovanović, B. ; Brum, R. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-04-07), Heft 13, S. 134316-1- (9S.)
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    Low frequency noise characterizations of ZnO nanowire field effect transistors.
    Wang, Wenyong ; Xiong, Hao D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007-02-15), Heft 4, S. 44313-44317
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    academicJournal
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    Theoretical study of potential performance of armchair graphene nanoribbon field effect transistors: Dependence on channel dimensions and contact resistance.
    Hur, Ji-Hyun ; Kim, Deok-kee
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 122 (2017-12-21), Heft 23, S. 234304-1- (7S.)
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    Performance characterization of microtomography with complementary metal-oxide-semiconductor detectors for computer-aided defect inspection.
    Kim, Ho Kyung ; Yun, Seungman ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-05-01), Heft 9, S. 094701-94701
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    Alpha particle mitigation strategies to reduce chip soft error upsets.
    Cabral, C. ; Rodbell, K. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007), Heft 1, S. 014902-14902
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    Nondestructive microstructural diagnostic of integrated ferroelectric capacitor arrays: Correlation with electrical characteristics.
    Muller, Ch ; Menou, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-03-01), Heft 5, S. 054504-54504
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    Influence of regrowth conditions on the hole mobility in strained Ge heterostructures produced by hybrid epitaxy.
    Morris, R. J. H. ; Leadley, D. R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-01), Heft 11, S. 6470-6476
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    Thermal stability of the HfO2/SiO2 interface for sub-0.1 μm complementary metal-oxide-semiconductor gate oxide stacks: A valence band and quantitative core-level study by soft x-ray photoelectron spectroscopy.
    Barrett, N. ; Renault, O. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-01), Heft 11, S. 6362-6369
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    Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 thin films grown on nitrided and oxidized Si substrates.
    Nishimura, T. ; Okazawa, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-01), Heft 11, S. 6113-6119
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    Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing.
    Schroder, Dieter K. ; Babcock, Jeff A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-07-01), Heft 1, S. 1-18
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