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    academicJournal
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    Comparison of InGaAs MOSFETs with germanium-on-insulator CMOS : Germanium based semiconductors from materials to devices
    Chin, A. ; Chen, C. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Jg. 9 (2006), Heft 4-5, S. 711-715
    Konferenz
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    Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si<subscript>0.7</subscript>Ge<subscript>0.3</subscript> compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25μm heterostructure CMOS process
    Paul, D.J. ; Temple, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 343-346
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si0.7Ge0.3 compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25μm heterostructure CMOS process
    Paul, D.J. ; Temple, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 343-346
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature scaling for 35nm gate length high-performance CMOS
    Feudel, Th. ; Horstmann, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 369-374
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Ge condensation technique: A solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?
    Vincent, B. ; Damlencourt, J.F. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), Heft 5, S. 205-213
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> Ge <subscript>x</subscript> layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
    Radamson, H.H. ; Hållstedt, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 25-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1− x Ge x layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
    Radamson, H.H. ; Hållstedt, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 25-30
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    E-MRS Spring Meeting 2015 Symposium Z: Nanomaterials and processes for advanced semiconductor CMOS devices.
    Napolitani, Enrico ; Duffy, Ray ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 42 (2016-02-02), S. 165-165
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Precise determination of metal effective work function and fixed oxide charge in MOS capacitors with high-κ dielectric
    Ťapajna, M. ; Hušeková, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), Heft 6, S. 969-974
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low power, GHz class ADC for broadband applications
    Tauqeer, T. ; Sexton, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-15), Heft 5/6, S. 402-406
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Properties and applications of SiGe nanodots
    Wang, K.L. ; Tong, S. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 389-399
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Very low leakage InGaAs/InAlAs pHEMTs for broadband (300MHz to 2GHz) low-noise applications
    Bouloukou, A. ; Boudjelida, B. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-15), Heft 5/6, S. 390-393
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low leakage and high performance of nMOSFET using SiGe layer as a diffusion barrier
    Mheen, Bongki ; Song, Young-Joo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 375-378
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Device simulation for decananometer MOSFETs
    Sangiorgi, Enrico ; Palestri, Pierpaolo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 6 (2003-02-01), Heft 1-3, S. 93-105
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Damage control of ion implantation for advanced doping process by using in-situ temperature control.
    Lee, Kyung ; Won ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 117 (2020-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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