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    Growth of SiGe layers in source and drain regions for 10 nm node complementary metal-oxide semiconductor (CMOS).
    Wang, Guilei ; Kolahdouz, M. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 31 (2020), Heft 1, S. 26-33
    Online academicJournal
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    Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status.
    Song, Yi ; Zhou, Huajie ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 40 (2011-07-01), Heft 7, S. 1584-1612
    Online academicJournal
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    Label-free immunodetection with CMOS-compatible semiconducting nanowires.
    Stern, Eric ; Klemic, James F. ; et al.
    In: Nature, Jg. 445 (2007-02-01), Heft 7127, S. 519-522
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Hardware/Software Complex for Electrophysical Management of CMOS Technology on Test Structures.
    Popovskikh, K. ; Soldatov, V. ; et al.
    In: Measurement Techniques, Jg. 59 (2016-12-01), Heft 9, S. 904-910
    Online academicJournal
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), Heft 4, S. 259-267
    Online academicJournal
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    Vacuum Nanoelectronics Based on Semiconductor Field-Emission Structures: Current State and Development Prospects. Review.
    Dyuzhev, N. A. ; Evsikov, I. D.
    In: Semiconductors, Jg. 57 (2023), Heft 1, S. 65-80
    Online academicJournal
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    An experimental investigation of the stability of CMOS-logic integrated Schmitt triggers to ultra-short pulse overloads.
    Bobreshov, A. M. ; Dyboi, A. V. ; et al.
    In: Measurement Techniques, Jg. 52 (2009-12-01), Heft 12, S. 1351-1357
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Low Temperature Processed Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Device by Oxidation Effect from Capping Layer
    Wang, Zhenwei ; Al-Jawhari, Hala A. ; et al.
    2015
    Online academicJournal
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    Strain scaling for CMOS.
    Bedell, S.W. ; Khakifirooz, A. ; et al.
    In: MRS Bulletin, Jg. 39 (2014-02-01), Heft 2, S. 131-137
    Online academicJournal
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    Simulation of the local effect of nuclear particles on 65-nm CMOS DICE memory cells.
    Stenin, V. ; Stepanov, P.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), Heft 4, S. 231-238
    Online academicJournal
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    Catalyst preparation for CMOS-compatible silicon nanowire synthesis.
    Renard, Vincent T. ; Jublot, Michael ; et al.
    In: Nature Nanotechnology, Jg. 4 (2009-10-01), Heft 10, S. 654-657
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Operability analysis of submicron CMOS-based VLSI RAMs operated under extreme thermal conditions.
    Krasnyuk, A. ; Cherkasov, I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 38 (2009), Heft 1, S. 48-57
    Online academicJournal
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    A high speed, low voltage to high voltage level shifter in standard 1.2 V 0.13 μm CMOS.
    Serneels, Bert ; Steyaert, Michiel ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 55 (2008-04-28), Heft 1, S. 85-91
    Online academicJournal
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    A 5.4-GHz high- Q tunable active-inductor bandpass filter in standard digital CMOS technology.
    Xiao, Haiqiao ; Schaumann, Rolf
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 51 (2007-04-24), Heft 1, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Sub-1 V GPS band CMOS voltage-controlled oscillator with 29% tuning range.
    Cheng, Wang-Chi ; Chan, Cheong-Fat
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 51 (2007-06-07), Heft 3, S. 141-144
    Online academicJournal
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    Compact low voltage high-Q CMOS active inductor suitable for RF applications.
    Uyanik, H. ; Tarim, Nil
    In: Analog Integrated Circuits & Signal Processing, Jg. 51 (2007-06-07), Heft 3, S. 191-194
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    Simulation of statistical variability in nano-CMOS transistors using drift-diffusion, Monte Carlo and non-equilibrium Green’s function techniques.
    Asenov, Asen ; Brown, Andrew ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics, Jg. 8 (2009-10-01), Heft 3/4, S. 349-373
    Online academicJournal
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    A circular micromirror array fabricated by a maskless post-CMOS process.
    Cheng, Y.-C. ; Dai, C.-L. ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 11 (2005-06-01), Heft 6, S. 444-451
    Online academicJournal
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    Influence of Quantum Capacitance on Charge Carrier Density Estimation in a Nanoscale Field-Effect Transistor with a Channel Based on a Monolayer WSe2 Two-Dimensional Crystal Semiconductor.
    Bera, M. K. ; Kharb, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-06-01), Heft 6, S. 3504-3513
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    Study of Metal Contamination in CMOS Image Sensors by Dark-Current and Deep-Level Transient Spectroscopies.
    Domengie, F. ; Regolini, J. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-06-01), Heft 6, S. 625-629
    Online academicJournal
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