Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
20 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

20 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    A 0.5–1.7 V Efficient and PVT-Invariant Constant Subthreshold g m Reference Circuit in CMOS.
    Lee, Martin ; Moez, Kambiz
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 69 (2022-10-01), Heft 10, S. 3915-3926
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    An All-MOSFET Voltage Reference-Based PUF Featuring Low BER Sensitivity to VT Variations and 163 fJ/Bit in 180-nm CMOS.
    Gan, Peizhou ; Zhao, Xiaojin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits & Systems, Jg. 40 (2021-06-01), Heft 6, S. 1172-1182
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process.
    Carbonetto, Sebastian ; Echarri, Martin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1118-1124
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A New Floating-gate Radiation Sensor and Readout Circuit in Standard Single-Poly 130-nm CMOS Technology.
    Zhang, Chaoping ; Hasan, S. M. Rezaul
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1906-1915
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Quadruple Well CMOS MAPS With Time-Invariant Processor Exposed to Ionizing Radiation and Neutrons.
    Ratti, Lodovico ; Traversi, Gianluca ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1763-1771
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM.
    Boruzdina, Anna B. ; Sogoyan, Armen V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2860-2866
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CMOS Differential and Amplified Dosimeter with Field Oxide N-Channel MOSFETs.
    Carbonetto, S. ; GarcianInza, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3466-3471
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    CMOS-MEMS integrated MOSFET embedded bridge structure based pressure sensor.
    Rathore, Pradeep Kumar ; Panwar, Brishbhan Singh
    In: 2013 Annual IEEE India Conference (INDICON), 2013, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 0.45-V MOSFETs-Based Temperature Sensor Front-End in 90 nm CMOS With a Noncalibrated \pm \3.5 \ ^\circ\C \ \3\sigma Relative Inaccuracy From -\55 \ ^\circ\C to 105 ^\circ\C.
    Lu, Li ; Block, Scott T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 771-775
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Simulation Study of Dominant Statistical Variability Sources in 32-nm High- \kappa/Metal Gate CMOS.
    Wang, Xingsheng ; Roy, Gareth ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012-05-01), Heft 5, S. 643-645
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 0.3 nW, 0.093%/V Line Sensitivity, Temperature Compensated Bulk-Programmable Voltage Reference for Wireless Sensor Nodes.
    Bhattacharjee, Indranil ; Chowdary, Gajendranath
    In: IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Jg. 30 (2022-09-01), Heft 9, S. 1281-1293
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 48 pW, 0.34 V, 0.019%/V Line Sensitivity Self-Biased Subthreshold Voltage Reference With DIBL Effect Compensation.
    Wang, Yuwei ; Sun, Quan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 611-621
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A 0.4-V Wide Temperature Range All-MOSFET Subthreshold Voltage Reference With 0.027%/V Line Sensitivity.
    Liu, Yang ; Zhan, Chenchang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 969-973
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dose-Rate Sensitivity of 65-nm MOSFETs Exposed to Ultrahigh Doses.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1482-1487
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Area-Efficient On-Chip Transient Detection Circuit for System-Level ESD Protection Against Transient-Induced Malfunction.
    Chen, Wen-Chieh ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 19 (2019-06-01), Heft 2, S. 363-369
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation Study of Large-Scale Charge Sharing Mitigation Using Seamless Guard Band.
    Huang, Pengcheng ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Device & Materials Reliability, Jg. 17 (2017-03-01), Heft 1, S. 176-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 0.45 V, Nano-Watt 0.033% Line Sensitivity MOSFET-Only Sub-Threshold Voltage Reference With no Amplifiers.
    Zhu, Zhangming ; Hu, Jin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part I: Regular Papers, Jg. 63 (2016-09-01), Heft 9, S. 1370-1380
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Graph-Based Symbolic Technique for Improving Sensitivity Analysis in Analog Integrated Circuits.
    Tlelo Cuautle, Esteban ; Rodriguez Chavez, Santiago
    In: IEEE Latin America Transactions, Jg. 12 (2014-08-01), Heft 5, S. 871-876
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Temperature Compensated Floating Gate MOS Radiation Sensor With Current Output.
    Garcia-Moreno, E. ; Isern, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-22), Heft 5, S. 4026-4030
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -