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    Challenges for Integration of Source-Drain Contacts into Emerging Future Generation CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Roy, R. A.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 429-440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Laser Annealing for Ultra-Shallow Junction Formation in Advanced CMOS : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Surdeanu, R. ; Ponomarev, Y. V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 413-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular Beam Deposition of Alternate Gate Dielectrics for Si CMOS : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Bojarczuk, N. A. ; Guha, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 137-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel HfSiON Gate Dielectric for Advanced CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Colombo, L. ; Visokay, M. R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 199-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Thermal Technologies for Sub-100nm CMOS Scaling: Development Strategies : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Meissner, P. ; Hegedus, A. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 37-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical and Material Properties of Metal Silicate Dielectrics and Metal Gates for Advanced CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Misra, V. ; Kulkarni, M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2000, S. 291-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integrated Rapid Thermal CVD Oxynitride Gate Dielectric for Advanced CMOS Technology : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Tseng, H. H.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2000, S. 255-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ultra-Shallow P^+-N Junctions for 35 - 70 nm CMOS using Selectively Deposited Very Heavily Boron-doped Silicon-Germanium Films : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Gannavaram, S. ; Ozturk, M. C.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2000, S. 73-82
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Comparative Study of Contacts to Silicon-Germanium Alloys for Sub-100 nm CMOS Source/Drain Junctions : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Liu, J. ; Mo, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2001-9, S. 355-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High Performance SOI CMOS Technology: FEOL Process, Device, and Material Interactions : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Mendicino, M.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2001-9, S. 409-420
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The Effect of Deposition Temperature on Grain Structure and Electrical Properties of Amorphous and Polycrystalline Silicon fabricated by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition for the Application of CMOS Gate Electrodes : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Chen, Y. ; Ma, Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2001-9, S. 105-112
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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