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    Optimization of process conditions of selective epitaxial growth for elevated source/drain CMOS transistor
    NAKAHATA, Takumi ; SUGIHARA, Kohei ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 243 (2002), Heft 1, S. 87-93
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interfacial trap characteristics in depletion mode GaAs MOSFETs
    LEE, T. C ; CHAN, C. Y ; et al.
    In: 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XIV), 3-8 September 2006, Tokyo, Japan, Jg. 301-302 (2007), S. 1009-1012
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si0.5Ge0.5 bulk single crystals with uniform composition
    KINOSHITA, K ; MIYATA, H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 349 (2012), Heft 1, S. 50-54
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Smooth and high quality epitaxial strained Ge grown on SiGe strain relaxed buffers with 70―85% Ge
    LOO, Roger ; SOURIAU, Laurent ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 324 (2011), Heft 1, S. 15-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Crystallization of supercooled silicon droplets initiated through small silicon nitride particles
    ALPHEI, L ; BRAUN, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 5, S. 1250-1255
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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