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    General 2D Schrodinger-Poisson solver with open boundary conditions for nano-scale CMOS transistors
    ALI POURGHADERI, M ; MAGNUS, Wim ; et al.
    In: Journal of computational electronics (Print), Jg. 7 (2008), Heft 4, S. 475-484
    Online academicJournal
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    A thermally robust Ni-FUSI process using in 65 nm CMOS technology
    TAN, S. Y ; SUNG, C. L ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 18 (2007), Heft 8, S. 847-854
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The monolithic integration system of bulk-Si sensors and actuators based on the Au―Au bonding technology
    CHUNHUA, CAI ; MING, QIN
    In: Microsystem technologies, Jg. 19 (2013), Heft 2, S. 195-201
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The crystallographic properties of Strained silicon measured by X-ray diffraction
    ERDTMANN, M ; LANGDO, T. A
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 17 (2006), Heft 2, S. 137-147
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Control of Interface Traps in HfO2 Gate Dielectric on Silicon : Phase Stability, phase transformation and reactive phase formation in electronic materials
    TAN, S. Y
    In: Journal of electronic materials, Jg. 39 (2010), Heft 11, S. 2435-2440
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High-κ dielectrics and advanced channel concepts for Si MOSFET
    MO, WU ; ALIVOV, Y. I ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 19 (2008), Heft 10, S. 915-951
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Formation and simulation of a thermally stable NiSi FUSI gate electrode by a novel integration process
    TAN, S. Y ; CHIU, Hsien-Chia ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 19 (2008), Heft 5, S. 411-417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Fabrication of silicon webs in the decananometre range : Vacuum based science and technology
    TRELLENKAMP, S ; MOERS, J ; et al.
    In: Applied physics. A, Materials science & processing (Print), Jg. 78 (2004), Heft 5, S. 627-628
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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