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    Evaluation of strained Si/SiGe material for high performance CMOS
    OLSEN, S. H ; O'NEILL, A. G ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 6, S. 707-714
    Online academicJournal
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    Enhancing CMOS transistor performance using lattice-mismatched materials in source/drain regions
    YEO, Yee-Chia
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
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    Integrated circuit process control monitoring (PCM) data and wafer yield analysed by using synchrotron x-ray topographic measurements
    KARILAHTI, M ; TUOMI, T ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 1, S. 45-55
    Online academicJournal
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    Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits
    PAUL, Douglas J
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 10, S. R75- (34S.)
    Online academicJournal
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    C-V characterization of strained Si/SiGe multiple heterojunction capacitors as a tool for heterojunction MOSFET channel design
    CHATTOPADHYAY, S ; KWA, K. S. K ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 8, S. 738-744
    Online academicJournal
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    Tradeoff between short channel effect and mobility in strained-Si nMOSFETS
    YEN PING, WANG ; SAN LEIN, WU ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
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    Key influence of the thermal history on process-induced defects in Czochralski silicon wafers
    KISSINGER, G ; GRÄF, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 12 (1997), Heft 7, S. 933-937
    Online academicJournal
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    Static NMOS circuits for crossbar architectures using silicon nano-wire technology
    BINDAL, Ahmet ; HAMEDI-HAGH, Sotoudeh
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 54-64
    Online academicJournal
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    Structure and stability of Pr2O3/Si(0 01) heterostructures grown by molecular beam epitaxy using a high temperature effusion source
    TINKHAM, B. P ; TAKAHASI, M ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 12, S. 1552-1556
    Online academicJournal
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    Erbium in silicon
    KENYON, A. J
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 20 (2005), Heft 12, S. R65- (20S.)
    Online academicJournal
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    Performance enhancement in Si/Si0.5Ge0.5/Si strained alloy p-channel metal oxide semiconductor field effect transistors
    LEADLEY, D. R ; FISCHER, H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 11, S. 945-949
    Online academicJournal
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    Effective surface treatments for selective epitaxial sige growth in locally strained pMOSFETs
    CHENG, P. L ; LIAO, C. I ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
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    Capacitance-voltage characteristics of heavily doped silicon-insulator-silicon capacitors
    HURLEY, P. K ; WALL, L ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 10 (1995), Heft 2, S. 190-196
    Online academicJournal
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