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    Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Nakao, Y. ; Kuroda, R. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 28 (2010), Heft 1, S. 315-324
    Konferenz
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    High Mobility Channels for Ultimate CMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Sadana, D. ; Koester, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 343-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Geometry Dependence of Poly-Si Oxidation and its Application to Self-Align, Maskless Process for Nano-scale Vertical CMOS Structures : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Cho, H. ; Kapur, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 403-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    State-of-the-Art Characterization for 65 nm CMOS Processes and Beyond : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hopstaken, M. ; Juhel, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 319-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni, Pt and Yb Based Fully Silicided (FUSI) Gates for Scaled CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 233-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Lee, B. ; Song, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 263-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Stress Characterization of Polycrystalline Silicon for Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chen, Y. ; Mercer, D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 225-232
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Material and Integration Issues for Rare Earth Silicides as Gate and Diffusion Contacts in Advanced CMOS Technologies : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    D Emic, C.P. ; Ohuchi, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 389-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS Scaling For the Next Decade: Trends, Challenges and Opportunities : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    Majhi, P. ; Oh, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 253-262
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Si Nanowire CMOS Transistors and Circuits by Top-Down Technology Approach : Advanced gate stack, source-drain and channel engineering for si-based CMOS; new materials, processes, and equipment
    Balasubramanian, N. ; Singh, N. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 13 (2008), Heft 1, S. 201-212
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    NBTI Study on PMOS Devices with TiN/HfO2 Gate Stack and Process Induced Strain : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Shickova, A. K. ; Verheyen, P. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 253-262
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Laser Spike Annealing of Strained Si/ Strained Si0.3Ge0.7/ Relaxed Si0.7Ge0.3 Dual Channel High Mobility p-MOSFETs : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Chleirigh, C. N. ; Wang, X. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 355-362
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Current Challenges in Ge MOS Technology : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Dimoulas, A. ; Houssa, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 371-384
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Thermal/Chemical Stability of ALD Ru-TaN Thin Films for Gate Electrode Applications : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Tungare, M. ; Kumar, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 303-310
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Conductive AFM Measurements on Carbon Nanotubes and Application for CNTFET Characterization : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Rispal, L. ; Ruland, T. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 441-448
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electrical Characteristics of Ge-Nanocrystal Embedded MOS Capacitors for Non-Volatile-Memory Application : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Choi, S. ; Park, Y. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 449-456
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Dual Substrate Orientation Integration for High Performance (110) PMOS : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Karve, G. ; Ted, W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 363-370
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigating Electronic and Chemical Properties of Ge/GeOxNy/HfO2 Gate Stacks : High-Resolution Photoelectron Spectroscopy Using Synchrotron Radiation : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Renault, O. J. ; Martinez, E. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 385-390
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Point-Defect Generation in Ni-, Pd-, and Pt-Germanided Schottky Barriers on N-Type Germanium Substrates : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Simoen, E. R. ; Opsomer, K. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 391-402
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    III-V MOSFET's with Advanced High k Dielectrics : Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS: new materials, processes, and equipment
    Hong, M. ; Kwo, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 2, S. 425-440
    Konferenz
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xs 0 - 576
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