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    A microbolometer fabrication process using polymorphous silicon-germanium films (pm-Si<subscript> x</subscript>Ge<subscript> y</subscript>:H) as thermosensing material.
    Calleja, Cesar ; Torres, Alfonso ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 213 (2016-07-01), Heft 7, S. 1864-1868
    academicJournal
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    Formation of Er-germanosilicide films on strained Si<subscript>1− x</subscript>Ge <subscript>x</subscript> with different Ge contents.
    Choi, Seongheum ; Choi, Juyun ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 212 (2015-04-01), Heft 4, S. 775-779
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomistic simulation of phonon and alloy limited hole mobility in Si<subscript>1- x</subscript>Ge <subscript>x</subscript> nanowires.
    Mehrotra, Saumitra ; Long, Pengyu ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 7 (2013-10-01), Heft 10, S. 903-906
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Carbon-hydrogen related defects in SiGe observed after dc H plasma treatment.
    Stübner, Ronald ; Kolkovsky, Vladimir ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 214 (2017-07-01), Heft 7, S. n/a- (4S.)
    academicJournal
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    Charge transition level of GeP<subscript>b1</subscript> centers at interfaces of SiO<subscript>2</subscript>/Ge<subscript> x</subscript>Si<subscript>1− x</subscript>/SiO<subscript>2</subscript> heterostructures investigated by positron annihilation spectroscopy.
    Madia, O. ; Segercrantz, N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 251 (2014-11-01), Heft 11, S. 2211-2215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Investigation of Hole Transport in Strained \Si1 - x\Gex/\SOI pMOSFETs—Part I: Scattering Mechanisms in Long-Channel Devices.
    Casse, Mikaël ; Hutin, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-02-01), Heft 2, S. 316-325
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Stranski-Krastanow transition in SiGe epitaxy investigated by scanning transmission electron microscopy.
    Walther, Thomas ; Norris, David J. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 210 (2013), Heft 1, S. 187-190
    academicJournal
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    Ultrathin (5 nm) SiGe-On-Insulator with high compressive strain (-2 GPa): From fabrication (Ge enrichment process) to in-depth characterizations
    GLOWACKI, F ; LE ROYER, C ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 97 (2014), S. 82-87
    academicJournal
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    Diffusion studies with radioactive ions.
    Räisänen, J. ; Whitlow, H. J.
    In: Hyperfine Interactions, Jg. 223 (2014), Heft 1-3, S. 231-238
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Growth and structural properties of SiGe virtual substrates on Si(100), (110) and (111)
    DESTEFANIS, V ; HARTMANN, J. M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 4, S. 1070-1079
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Strain release management in SiGe/Si films by substrate patterning
    Mondiali, V ; Bollani, M ; et al.
    2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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