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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Soft x-ray reflectometry for the inspection of interlayer roughness in stacked thin film structures
    Ciesielski, Richard ; Loo, Roger ; et al.
    In: Metrology, Inspection, and Process Control XXXVIII, 2024
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Impact of Interstitial Carbon on Base Current Ideality in SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
    Liu, J.P. ; Verma, P.R. ; et al.
    In: 2006 International Symposium on VLSI Design, Automation and Test, 2006-04-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    8Å Tinv gate-first dual channel technology achieving low-Vt high performance CMOS
    Witters, L. ; Takeoka, S. ; et al.
    In: 2010 Symposium on VLSI Technology, 2010-06-01, S. 181-182
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SiGe Band-to-Band Tunneling Calibration based on p-i-n Diodes: Fabrication, Measurement and Simulation : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Kao, K. ; Verhulst, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 965-970
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    (Invited) Ge~1~-~xSn~x Materials: Challenges and Applications : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Loo, R. ; Vincent, B. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 853-864
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High Ge Content SiGe Selective Processes for Manufacturing Source/Drain in the Next Generations of pMOS Transistors : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Hikavyy, A. ; Vanherle, W. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 807-814
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Orientation Dependence of Si~1~-~xC~x:P Growth and the Impact on FinFET Structures : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Tolle, J. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 491-498
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High Efficiency Low Temperature Pre-epi Clean Method for Advanced Group IV epi Processing : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Machkaoutsan, V. ; Weeks, K.D. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 339-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Selective Growth of Strained Ge Channel on Relaxed SiGe Buffer in Shallow Trench Isolation for High Mobility Ge Planar and Fin p-FET : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Vincent, B. ; Witters, L. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 39-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    (Invited) Selective Epitaxial Growth of III-V Semiconductor Heterostructures on Si Substrates for Logic Applications : SiGe, Ge and Related Compounds 4 - Materials Processing and Devices
    Nguyen, N. ; Wang, G. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 33 (2010), Heft 6, S. 933-940
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Vapor Phase Doping with N-type Dopant into Silicon by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Takeuchi, S. ; Nguyen, N.D. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Selective Epitaxial Growth of Germanium on Si Wafers with Shallow Trench Isolation: An Approach for Ge Virtual Substrates : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Wang, G. ; Leys, F.E. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electrical Activity of Dislocations and Defects in Strained Si and Ge Based Devices : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Simoen, E.R. ; Eneman, G. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Evaluation of DiMethylAminoGermaniumTetraChloride as a Novel Carbon-Dopant and Germanium Precursor for Germanium and Silicon Germanium Chemical Vapor Deposition : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Leys, F.E. ; Liu, C. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High Hole Mobility SGOI Substrates Obtained by the Germanium Condensation Technique : SiGe, Ge, and related compounds; materials, processing, and devices
    Souriau, L. ; Nguyen, T. ; et al.
    2008
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Maximization of Active As Doping in (selective) Epitaxial Si and SiGe Layers : SiGe: materials, processing, and devices
    Loo, R. ; Bajolet, P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 1123-1134
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Selective Epitaxy of Si and SiGe for Advanced Applications: Possibilities and Limitations : SiGe: materials, processing, and devices
    Caymax, M. ; Loo, R.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 815-824
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Strained Silicon on Relaxed SiGe Made by Ion Implantation and Strain Transfer (Invited) : SiGe: materials, processing, and devices
    Mantl, S. ; Buca, D. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 7 (2004), S. 731-740
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C HBTs by means of low-temperature trisilane based epitaxy
    You, Shuzhen ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    2011
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record in ORBi (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Epitaxial Si, SiGe and Ge for high-performance devices
    Loo, Roger ; Hikavyy, Andriy ; et al.
    2010
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record in ORBi (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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