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    Study of SiGe condensation for strained channels development : application to advanced CMOS technologies
    Valenducq, Damien ; STAR, ABES ; et al.
    2021
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Study of SiGe condensation for strained channels development : application to advanced CMOS technologies ; Etude de la condensation du SiGe pour l'élaboration de canaux contraints : application aux technologies CMOS avancées
    Valenducq, Damien ; Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMaP) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03269583 ; Autre [cond-mat.other]. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2021. Français. ⟨NNT : 2021GRALI026⟩, 2021
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Etude de la condensation du SiGe pour l'élaboration de canaux contraints : application aux technologies CMOS avancées ; Study of SiGe condensation for strained channels development : application to advanced CMOS technologies
    Valenducq, Damien ; Université Grenoble Alpes ; et al.
    2021
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI : une contribution de l'holographie électronique en champ sombre
    Boureau, Victor
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Strains induced during FDSOI transistors manufacturing : a study by dark-field electron holography ; Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI : une contribution de l'holographie électronique en champ sombre
    Boureau, Victor ; Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01786799 ; Physique [physics]. Université de Toulouse III - Paul Sabatier, 2016. Français. ⟨NNT : ⟩, 2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI : une contribution de l'holographie électronique en champ sombre ; Strains induced during FDSOI transistors manufacturing : a study by dark-field electron holography
    Boureau, Victor ; 3, Toulouse ; et al.
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Conception et intégration d'un synthétiseur digital direct micro-onde en technologie silicium SiGe:C 0.25um
    Thuries, Stéphane
    2006
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -