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    Design, Analysis and Optimization of CMOS Full Adder Based FinFET 10 nm
    Abdelaziz, Lazzaz ; Khaled, Bousbahi ; et al.
    In: 2023 13th International Symposium on Advanced Topics in Electrical Engineering (ATEE), 2023-03-23, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 2.6-GHz I/O Buffer for DDR4 & DDR5 SDRAMs in 16-nm FinFET CMOS Process
    Ke, Jhih-Ying ; Santos Tolentino, Lean Karlo ; et al.
    In: 2023 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS), 2023-11-19, S. 271-275
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Critical Process Features Enabling Aggressive Contacted Gate Pitch Scaling for 3nm CMOS Technology and Beyond
    Chang, Chih-Hao ; Chang, V.S. ; et al.
    In: 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022-12-03, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Comparative Design and Analysis of FinFET and CMOS SRAM Cell
    Sharma, Yash ; Singh, Anushka ; et al.
    In: 2019 International Conference on Signal Processing and Communication (ICSC), 2019-03-01, S. 275-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Study of FinFET Versus HKMG Bulk CMOS in 16 nm Technology: Current Mirror Perspective
    Hesham, Bakr ; Hasaneen, El-Sayed ; et al.
    In: 2018 International Japan-Africa Conference on Electronics, Communications and Computations (JAC-ECC), 2018-12-01, S. 61-64
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    2.5 GHz Data Rate 2 × VDD Digital Output Buffer Design Realized by 16-nm FinFET CMOS
    Wang, Chua-Chin ; Lu, Shao-Wei
    In: 2019 8th International Symposium on Next Generation Electronics (ISNE), 2019-10-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comparative analysis of standard cells performance for 7nm FinFET and 28nm CMOS technologies with considering for parasitic elements
    Ilin, Sergey ; Ryzhova, Daria ; et al.
    In: 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2018, S. 1360-1363
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    CMOS beyond Si: Nanometer-Scale III-V MOSFETs
    del Alamo, Jesus A. ; Cai, Xiaowei ; et al.
    In: 2017 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2017-10-01, S. 26-29
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The future of CMOS: More Moore or the next big thing?
    Kuzmicz, Wieslaw
    In: 2017 MIXDES - 24th International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, 2017-06-01, S. 21-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Comparative Performance Analysis of CMOS and FinFET Based Voltage Mode Sense Amplifier
    Garg, Mitali ; Anurag ; et al.
    In: 2016 8th International Conference on Computational Intelligence and Communication Networks (CICN), 2016-12-01, S. 544-547
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    PVT variability analysis of FinFET and CMOS XOR circuits at 16nm
    da Silva, Fabio G. R. G. ; Butzen, Paulo F. ; et al.
    In: 2016 IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), 2016-12-01, S. 528-531
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ge FinFET CMOS Inverters with Improved Channel Surface Roughness by Using In-situ ALD Digital O3 Treatment
    Yeh, M. S. ; Luo, G. L. ; et al.
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 205-207
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Vertically stacked lateral Si80Ge20 nanowires transistors for 5 nm CMOS applications
    Al-Ameri, Talib ; Asenov, Asen
    In: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017-04-01, S. 101-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Reduction of "dark gate" defects in replacement-metal-gate process and middle-of-line contacts for advanced planar CMOS and FinFET technology
    Peng, Wen Pin ; Chi, Min-hwa ; et al.
    In: 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016-03-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design Procedure for Two-Stage CMOS Opamp using gm/ID design Methodology in 16 nm FinFET Technology
    Hesham, Bakr ; Hasaneen, El-Sayed ; et al.
    In: 2019 31st International Conference on Microelectronics (ICM), 2019-12-01, S. 325-329
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Assessing device reliability margin in scaled CMOS technologies using ring oscillator circuits
    Kerber, A. ; Cimino, S. ; et al.
    In: 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2017-02-01, S. 28-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comparative study of FinFETs versus 22nm bulk CMOS technologies: SRAM design perspective
    Farkhani, Hooman ; Peiravi, Ali ; et al.
    In: 2014 27th IEEE International System-on-Chip Conference (SOCC), 2014-09-01, S. 449-454
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Energy and area analysis of a floating-point unit in 15nm CMOS process technology
    Salehi, Soheil ; DeMara, Ronald F.
    In: SoutheastCon 2015, 2015-04-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Elimination of Tungsten-voids in middle-of-line contacts for advanced planar CMOS AND FinFET technology
    Peng, Wen Pin ; Chi, Min-hwa ; et al.
    In: 2016 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016-03-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comparing high-performance cells in CMOS bulk and FinFET technologies
    Meinhardt, Cristina ; Reis, Ricardo
    In: 2014 IEEE 5th Latin American Symposium on Circuits and Systems, 2014-02-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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