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119 Treffer

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    Wafer-scale CVD Monolayer WSe2 p-FETs with Record-high 727 μA/μm Ion and 490 μS/ μm gmax via Hybrid Charge Transfer and Molecular Doping
    Lan, Hao-Yu ; Tripathi, Rahul ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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    CVD-grown back-gated MoS2 transistors
    Marquez, C. ; Salazar, N. ; et al.
    In: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of chamber pressure on red emission from silicon thin films deposited by means of hot-wire CVD
    Dutt, A. ; Matsumoto, Y. ; et al.
    In: 2015 12th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), 2015-10-01, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The use of nanodiamonds in the seeding of CVD diamond and in heterogeneous catalysis
    Buijnsters, J.G. ; Carabineiro, S.A.C. ; et al.
    In: 2015 1st Workshop on Nanotechnology in Instrumentation and Measurement (NANOFIM), 2015-07-01, S. 163-167
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Disilane and trimethylsilane as precursors for RP-CVD growth of Si1−yCy epilayers on Si(001)
    Colston, Gerard ; Myronov, Maksym ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015, S. 225-228
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Luminescent Silicon Oxycarbide Thin Films via Hot-wire CVD using Tetraethyl Orthosilicate: Role of the Chamber Pressure and Post-deposition Annealing
    Ramos-Serrano, J. R. ; Matsumoto, Y. ; et al.
    In: 2018 15th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE), 2018-09-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Studies on H2O-based Al2O3 deposited on as-grown CVD graphene
    Wang, Wenrong ; Liang, Chen ; et al.
    In: 2013 International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale, 2013-08-01, S. 5-8
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HW-CVD deposited microcrystalline-silicon on crystalline-silicon solar cell with inverted heterojunction structure
    Matsumoto, Y. ; Ortega, M. ; et al.
    In: 2010 7th International Conference on Electrical Engineering Computing Science and Automatic Control, 2010-09-01, S. 608-612
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Position Control and Gas Source CVD Growth Technologies of 2D MX2 Materials for Real LSI Applications
    Irisawa, T. ; Okada, N. ; et al.
    In: 2018 IEEE 2nd Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM), 2018-03-01, S. 331-333
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Sn segregation on Ge1−xSnx epi-layers growth by RP-CVD
    Weisshaupt, David ; Jahandar, Pedram ; et al.
    In: 2017 40th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO), 2017-05-01, S. 43-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Single-crystal CVD diamond detector for low-energy charged particles with energies ranging from 100 keV to 2 MeV
    Sato, Yuki ; Murakami, Hiroyuki ; et al.
    In: 2015 4th International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation Measurement Methods and their Applications (ANIMMA), 2015-04-01, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reverse terrace graded Si1−xGex/Ge/Si(001) virtual substrates grown using RP-CVD on on-axis and 6° off-axis substrates for future developments in III-V materials integration
    Sivadasan, Vineet ; Myronov, Maksym ; et al.
    In: EUROSOI-ULIS 2015: 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, 2015, S. 173-176
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High velocity SAW using aluminum nitride film on unpolished nucleation side of freestanding CVD diamond
    Elmazria, O. ; Mortet, V. ; et al.
    In: 2002 IEEE Ultrasonics Symposium,, Jg. 1 (2002), S. 139-142
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Reactive ion etching of CVD-diamond for sensor devices with a minimum feature size of 100 nm
    Otterbach, R. ; Hilleringmann, U. ; et al.
    In: 2000 26th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society. IECON 2000. 2000 IEEE International Conference on Industrial Electronics, Control and Instrumentation. 21st Century Technologies, Jg. 3 (2000), S. 1873-1877
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fabrication and testing of CVD diamond single-material MEMS resonators with piezoresistive detection
    Cao, Zongliang ; Aslam, Dean M.
    In: 2011 16th International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference, 2011-06-01, S. 2359-2361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A manufacturable ILD gap fill process with biased ECR CVD
    Chebi, R. ; Mittal, S.
    In: 1991 Proceedings Eighth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, 1991, S. 61-67
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A selective CVD tungsten process for micromotors
    Chen, Liang-Yuh ; MacDonald, N.C.
    In: TRANSDUCERS '91: 1991 International Conference on Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers, 1991, S. 739-742
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Comparison of CVD diamond to other substrate materials for thermal management
    Chandran, B. ; Gordon, M.H. ; et al.
    In: InterSociety Conference on Thermal Phenomena in Electronic Systems, I-THERM V, 1996, S. 226-232
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A novel CVD-SiBCN Low-K spacer technology for high-speed applications
    Ko, C.H. ; Kuan, T.M. ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 108
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Dependence of deposition rate on base materials in TEOS/O/sub 3/ AP CVD
    Fujino, K. ; Nishimoto, Y. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 187-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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