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    Pattern etching of CVD Si3N4/SiO2 composites in HF/glycerol mixtures.
    Deckert, C. A.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-11-02), S. 2433-2438
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Thin film preparation by plasma and low pressure CVD in a horizontal reactor.
    Morosanu, C. E. ; Soltuz, V.
    In: Vacuum, Jg. 31 (1981-07-01), S. 309-313
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Nature of CVD Si-rich SiO2 and Si3N4 films.
    Irene, E. A.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 127 (1980-11-02), S. 2518-2520
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thermal stresses and cracking resistance of dielectric films (SiN, Si3N4, and SiO2) on Si substrates.
    Sinha, A. K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 49 (1978-04-01), S. 2423-2426
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Nucleation of chemical vapor deposited silicon nitride on silicon dioxide.
    Copel, M. ; Varekamp, P. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-03-29), Heft 13, S. 1830-1832
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of Water Diffusion Path Evolving From Silicon Dioxide and Its Influence on Transistor Hump.
    Lee, Jung-Hwan ; Park, Won-Kyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-04-01), Heft 4, S. 790-796
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Oxide and nitride encapsulation of large-area graphene field effect devices
    Imam, Shahriar Al ; Guermoune, Abdelaadim ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-10-01), Heft 24, S. 7041-7043
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Lateral epitaxial overgrowth of GaSb on GaSb and GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Yi, S. S. ; Hansen, D. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-08-07), Heft 6, S. 842-844
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Random telegraph signal in nanoscale back-side charge trapping memories.
    Silva, H. ; Tiwari, S.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-03-06), Heft 10, S. 102105-102105
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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