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    High transconductance AlGaN/GaN MOSHFETs with photo-CVD gate oxide.
    Wang, Chun-Kai ; Lin, Tien-Kun ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-12-01), Heft 12, S. 1033-1036
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    On the origin of self-organization of SiO2 nanodots deposited by CVD enhanced by atmospheric pressure remote microplasma.
    Arnoult, G. ; Belmonte, T. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 44 (2011-05-04), Heft 17, S. 174022-1- (9S.)
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    Effects of annealing temperature on optical properties of ZnO nanocrystals embedded in SiO2 matrix thin films.
    Zhi, Z. Z. ; Qi, Y. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 40 (2007-07-21), Heft 14, S. 4281-4284
    Online academicJournal
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    Size-dependent creep behaviour of plasma-enhanced chemical vapour deposited silicon oxide films.
    Cao, Zhiqiang ; Zhang, Xin
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 39 (2006-12-07), Heft 23, S. 5054-5063
    Online academicJournal
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    Characterization and preparation of SiO2 and SiOF films using an RF PECVD technique from TEOS/O2 and TEOS/O2/CF4 precursors.
    Kim, Jae-Keun ; Jeong, Sang-Hun ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 37 (2004-09-07), Heft 17, S. 2425-2431
    Online academicJournal
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    Refractive index at infrared wavelengths and dielectric permittivity of pure and fluorinated silicon dioxide from measurements of their thin films deposited on Si.
    Power, G. ; Vij, J. K. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 37 (2004-05-10), Heft 9, S. 1362-1370
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    Oxygen diluted hexamethyldisiloxane plasmas investigated by means of in situ infrared absorption spectroscopy and mass spectrometry.
    Magni, D. ; Deschenaux, Ch ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 34 (2001-01-07), Heft 1, S. 87-94
    Online academicJournal
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    A new approach to SiO2 deposit using a N2-SiH4-N2O glow dielectric barrier-controlled discharge at atmospheric pressure.
    Gherardi, Nicolas ; Martin, Steve ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 33 (2000-10-07), Heft 19, S. L104- (5S.)
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    Silicon oxide particle formation in RF plasmas investigated by infrared absorption spectroscopy and mass spectrometry.
    Hollenstein, Ch ; Howling, A. A. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 31 (1998-01-07), S. 74-84
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    Rare-earth-doped SiO2 films prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition.
    Yoshihara, M. ; Sekiya, A. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 30 (1997-07-07), S. 1908-1912
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    Infrared absorption of the products formed in distributed electron cyclotron resonance plasmas of hexamethyldisiloxane and tetraethoxysilane.
    Raynaud, P. ; Segui, Y. ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 30 (1997-04-21), S. L23- (5S.)
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    Electrical properties of electron cyclotron resonance plasma-deposited silicon dioxide: effect of the oxygen to silane flow ratio.
    Hernandez, M. J. ; Garrido, J. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 11 (1996-03-01), S. 422-426
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    Reduced leakage current and improved breakdown voltage of silicon oxide films deposited in low energy RF discharges at room temperature.
    Wu, Ming-Shing ; Bao, Tien I. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 7 (1992-08-01), S. 1123-1126
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    Fast thermal kinetic growth of silicon dioxide films on InP by rapid thermal low-pressure chemical vapour deposition.
    Katz, A. ; Feingold, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 7 (1992-04-01), S. 583-594
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    Electron-beam-induced current in a chemical-vapour-deposited SiO2 passivation layer on an MOS structure with a non-penetrating electron beam.
    Nakamae, Koji ; Fujioka, Hiromu ; et al.
    In: Journal of Physics: D Applied Physics, Jg. 24 (1991-06-14), S. 963-968
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