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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    The Formation of Ru/ZnO Multifunctional Bilayer through Area Selective Atomic Layer Deposition for Advanced Cu Metallization
    Mori, Yuki ; Cheon, Taehoon ; et al.
    In: 2023 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) and IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (MAM)(IITC/MAM), 2023-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of pre-amorphization implantation schemes using beam line or plasma ion implantation on Ni(Pt)Si/Si specific contact resistivities
    Guillemin, Sophie ; Lachal, Laurent ; et al.
    In: 2023 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) and IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (MAM)(IITC/MAM), 2023-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nickel silicide for interconnects
    Lin, K.L. ; Bojarski, S.A. ; et al.
    In: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), 2015-05-01, S. 169-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of alloying elements on the phase formation of ultrathin Ni (
    Geenen, F. A. ; Van Stiphout, K. ; et al.
    In: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), 2015-05-01, S. 183-186
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nickel silicide for source-drain contacts from ALD NiO films
    Pore, Viljami ; Tois, Eva ; et al.
    In: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), 2015-05-01, S. 191-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Full 3D reciprocal space map of thin polycrystalline films for microelectronic applications
    Thanh, T. Nguyen ; Blanc, N. ; et al.
    In: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), 2015-05-01, S. 53-56
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni silicides formation: Use of Ge and Pt to study the diffusing species, lateral growth and relaxation mechanisms
    Kousseifi, Mike El ; Hoummada, Khalid ; et al.
    In: 2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM), 2015-05-01, S. 257-260
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer deposition for nanoscale contact applications
    Kim, Hyungjun ; Yoon, Jaehong ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Stress-induced voids in Ni-Pt silicide: Disconnection of narrow (Ni-Pt)Si between gate canyons on wide active area
    Futase, Takuya ; Oashi, Toshiyuki ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CVD-cobalt for low resistance word line electrode of 3D NAND flash memory
    Kim, MinSoo ; Whang, SungJin ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    NiSi nano-contacts to strained and unstrained silicon nanowires
    Habicht, S. ; Zhao, Q.T. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Millisecond annealing for salicide formation: Challenges of NiSi agglomeration free process
    Gregoire, M. ; Beneyton, R. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    In-situ study and modeling of the decreasing reaction rate at the end of CoSi2 formation
    Delattre, R. ; Simola, R. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultrathin TaN/Ta barrier modifications to fullfill next technology node requirements
    Gerlich, L. ; Ohsiek, S. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Integrated NiSi defect reductions in 45nm node and beyond
    Lai, Jerander ; Chen, Yi-Wei ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation on MOCVD CoSi2 process for reduction of contact resistance at metal-silicon interface
    Hwang, E. S. ; Seo, B. M. ; et al.
    In: 2011 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2011-05-01, S. 1-3
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization of thin TiSi2 films by spectroscopic ellipsometry and thermal wave analysis
    Kal, S. ; Kasko, I. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 169-172
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Local nucleation and lateral crystallisation of the silicide phases in CoSi2 buffer layer of YBCO/CoSi2/Si structure
    Belousov, I. ; Rudenko, E. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 185-188
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Formation of thin film of C- and Ni-silicide by MEVVA implantation
    Zhang, Y. ; Whitlow, H.J. ; et al.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 192-195
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Selective TiSi2 by CVD, one step further
    Maury, D. ; Regolini, J.L.
    In: European Workshop Materials for Advanced Metallization, 1997, S. 105-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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