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    Thermoelectric transport properties of Si, SiGe, and silicide CMOS-compatible thin films.
    Schwinge, Caroline ; Hoffmann, Raik ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 94 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Strain optimization in ultrathin body transistors with silicon-germanium source and drain stressors.
    Madan, Anuj ; Samudra, Ganesh ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-10-15), Heft 8, S. 084505-84505
    Online academicJournal
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    Pt silicide/poly-Si Schottky diodes as temperature sensors for bolometers.
    Yuryev, V. A. ; Chizh, K. V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-28), Heft 20, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Solid phase epitaxy during Ge condensation from amorphous SiGe layer on silicon-on-insulator substrate.
    Balakumar, S. ; Tung, C. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-17), Heft 3, S. 032101-32101
    Online academicJournal
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    Effects of patterning induced stress relaxation in strained SOI/SiGe layers and substrate.
    Hermann, P. ; Hecker, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-06-15), Heft 12, S. 124513-124513
    Online academicJournal
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    Interfacial reactions between WNx and poly Si1-xGex films.
    Kang, Sung Kwan ; Min, Byoung Gi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-12-01), Heft 11, S. 7071-7075
    Online academicJournal
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    Retarded C54 transformation and suppressed agglomeration by precipitates in TiSi2 films.
    Suh, You-Seok ; Park, Dae-Gyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-15), Heft 6, S. 2760-2764
    Online academicJournal
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    Characterization of the local mechanical stress induced during the Ti and Co/Ti salicidation in sub-0.25 μm technologies.
    Steegen, An ; De Wolf, Ingrid ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-15), Heft 8, S. 4290-4297
    Online academicJournal
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    Thermal stability of cobalt silicide thin films on Si(100)
    Chen, Bin-Shing ; Chen, Mao-Chieh
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-07-15), S. 1035-1039
    Online academicJournal
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    Controlling the formation and stability of ultra-thin nickel silicides - An alloying strategy for preventing agglomeration.
    Geenen, F. A. ; van Stiphout, K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-02-21), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Phase formation and work function tuning in fully silicided Co-Ni metal gates with variable Co:Ni ratios.
    Liu, J. ; Kwong, D. L.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 88 (2006-01-30), Heft 5, S. 052109-52109
    Online academicJournal
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    Evaluation of nickel and molybdenum silicides for dual gate complementary metal-oxide semiconductor application.
    Biswas, Nivedita ; Gurganus, Jason ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-10), Heft 2, S. 022105-22105
    Online academicJournal
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    Efficient ultraviolet electroluminescence from a Gd-implanted silicon metal-oxide-semiconductor device.
    Sun, J. M. ; Skorupa, W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-18), Heft 16, S. 3387-3389
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    Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator.
    Li, P. W. ; Liao, W. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-12-01), Heft 22, S. 4628-4630
    Online academicJournal
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    2.5 GbitVs polycrystalline germanium-on-silicon photodetector operating from 1.3 to 1.55 μm.
    Masini, Gianlorenzo ; Colace, Lorenzo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-04-14), Heft 15, S. 2524-2526
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    Reaction steps of silicidation in ZrO2/SiO2 /Si layered structure.
    Muraoka, Kouichi
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-06-17), Heft 24, S. 4516-4518
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    Extremely high room-temperature two-dimensional hole gas mobility in Ge/Si0.33Ge0.67 /Si(001) p-type modulation-doped heterostructures.
    Myronov, M. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-04-29), Heft 17, S. 3117-3119
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    Formation of cobalt silicide spikes in 0.18 μm complementary metal oxide semiconductor process.
    Dai, J. Y. ; Guo, Z. R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 78 (2001-05-14), Heft 20, S. 3091-3093
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    Pulsed laser-induced silicidation on TiN-capped Co/Si bilayers.
    Chow, F. L. ; Lee, P. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-02-15), Heft 4, S. 044902-44902
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    Three-dimensional atomic-scale mapping of Pd in Ni1-xPdxSi/Si(100) thin films.
    Kim, Yeong-Cheol ; Adusumilli, Praneet ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-09-10), Heft 11, S. 113106-113106
    Online academicJournal
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