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    Selective Area Growth of InP and Defect Elimination on Si (001) Substrates.
    Wang, Gang ; Leys, Maarten ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-06-01), Heft 6, S. H645- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High quality Ge epitaxial layers in narrow channels on Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-03-15), Heft 11, S. 111903-1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Tensely strained silicon on SiGe produced by strain transfer.
    Buca, D. ; Carius, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-27), Heft 13, S. 2499-2501
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High Absorption Contrast Quantum Confined Stark Effect in Ultra-Thin Ge/SiGe Quantum Well Stacks Grown on Si.
    Srinivasan, Srinivasan Ashwyn ; Pantouvaki, Marianna ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 56 (2020-02-01), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Record GmSAT/SSSAT and PBTI Reliability in Si-Passivated Ge nFinFETs by Improved Gate-Stack Surface Preparation.
    Arimura, H. ; Dekkers, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-12-01), Heft 12, S. 5387-5392
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    First Demonstration of Vertically Stacked Gate-All-Around Highly Strained Germanium Nanowire pFETs.
    Capogreco, E. ; Witters, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 5145-5150
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si.
    Porret, C. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), Heft 16, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si0.55Ge0.45 implant free quantum well pFET.
    Yamaguchi, S. ; Witters, L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 157-161
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Properties and growth peculiarities of Si0.30Ge0.70 stressor integrated in 14 nm fin-based p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.
    Hikavyy, A. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 602 (2016-03-01), S. 72-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Interfacial Chemistries for Nanoscale Transfer Printing.
    Loo, Yueh-Lin ; Willett, Robert L. ; et al.
    In: Journal of the American Chemical Society, Jg. 124 (2002-07-03), Heft 26, S. 7654-7655
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    TCAD Strain Calibration Versus Nanobeam Diffraction of Source/Drain Stressors for Ge MOSFETs.
    Buhler, Rudolf Theoderich ; Eneman, Geert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 4, S. 1079-1084
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ge-Source Vertical Tunnel FETs Using a Novel Replacement-Source Integration Scheme.
    Rooyackers, Rita ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 4032-4039
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-Performance Si0.45Ge0.55 Implant-Free Quantum Well pFET With Enhanced Mobility by Low-Temperature Process and Transverse Strain Relaxation.
    Yamaguchi, Shimpei ; Witters, Liesbeth Johanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 12, S. 3985-3990
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Chemical vapor deposition processes for the fabrication of epitaxial Si-O superlattices.
    Jayachandran, Suseendran ; Delabie, Annelies ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 557 (2014-04-30), S. 36-41
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Fabrication and Analysis of a Si/Si0.55Ge0.45 Heterojunction Line Tunnel FET.
    Walke, Amey M. ; Vandooren, Anne ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 3, S. 707-715
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Challenges and opportunities in advanced Ge pMOSFETs
    Simoen, E. ; Mitard, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-12-01), Heft 6, S. 588-600
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A model of threading dislocation density in strain-relaxed Ge and GaAs epitaxial films on Si (100)
    Wang, G. ; Loo, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-09), Heft 10, S. 102115-102115
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective Area Growth of InP on On-Axis Si(001) Substrates with Low Antiphase Boundary Formation.
    Loo, R. ; Wang, G. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 159 (2012-03-01), Heft 3, S. H260- (6S.)
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Boron Delta-Doping Dependence on Si/SiGe Resonant Interband Tunneling Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition.
    Ramesh, Anisha ; Growden, Tyler A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), Heft 3, S. 602-609
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Arsenic-doped Ge-spiked monoemitter SiGe:C heterojunction bipolar transistors by low-temperature trisilane based chemical vapor deposition
    You, Shuzhen ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), Heft 8, S. 3345-3348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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