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    Hybrid 2D–0D SnS<subscript>2</subscript> Nanoflakes/CTS QDs-Based Broadband (UV-Visible-NIR) Photodetector.
    Yadav, Sanjeev Mani ; Pandey, Amritanshu
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2008-2015
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Low-Cost Solution-Processed MoS 2 Quantum Dots-Based Deep UV Photodetector for Monitoring Disinfection.
    Gupta, Prashant Kumar ; Pandey, Utkarsh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2474-2480
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Highly Efficient and Broadband Hybrid Photodetector Based on 2-D Layered Graphene/CTS Quantum Dots.
    Yadav, Sanjeev Mani ; Pandey, Amritanshu
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-08-01), Heft 8, S. 3417-3424
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Influence of Quantum Dot Characteristics on the Performance of Hybrid SET-FET Circuits.
    Amat, E. ; Klupfel, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4461-4467
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design and Simulation of Intermediate Band Solar Cell With Ultradense Type-II Multilayer Ge/Si Quantum Dot Superlattice.
    Tsai, Yi-Chia ; Lee, Ming-Yi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4547-4553
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    GERMANIUM SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOTS IN SILICON FOR MID-INFRARED PHOTODETECTORS.
    Yakimov, Andrew I. ; Dvurechenskii, Anatolii V.
    In: International Journal of High Speed Electronics & Systems, Jg. 12 (2002-09-01), Heft 3, S. 873-889
    academicJournal
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    High-Performance In<subscript>0.5</subscript>Ga<subscript>0.5</subscript>As/GaAs Quantum-Dot Lasers on Silicon With Multiple-Layer Quantum-Dot Dislocation Filters.
    Yang, Jun ; Bhattacharya, Pallab ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 2849-2855
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Optimisation of the dislocation filter layers in 1.3‐μm InAs/GaAs quantum‐dot lasers monolithically grown on Si substrates.
    Tang, Mingchu ; Wu, Jiang ; et al.
    In: IET Optoelectronics (Wiley-Blackwell), Jg. 9 (2015-04-01), Heft 2, S. 61-64
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Over 1.3 µm CW laser emission from InGaSb quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs substrate.
    Yamamoto, N. ; Akahane, K. ; et al.
    In: Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology), Jg. 40 (2004-09-02), Heft 18, S. 1120-1121
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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