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    Probing Dark Current Random Telegraph Signal in a Small Pitch Vertically Pinned Photodiode CMOS Image Sensor After Proton Irradiation.
    Antonsanti, Aubin ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1506-1514
    Online academicJournal
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SIRIO: A High-Speed CMOS Charge-Sensitive Amplifier for High-Energy-Resolution X-γ Ray Spectroscopy With Semiconductor Detectors.
    Mele, Filippo ; Gandola, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 379-383
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Transient Response in PPD CMOS Image Sensors Irradiated by Gamma Rays: Variation of Dose Rates and Integration Times.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 880-885
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High-Voltage CMOS Active Pixel Sensor Chip With Counting Electronics for Beam Monitoring.
    Weber, Alena ; Ehrler, Felix ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1288-1298
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications.
    Segmanovic, Filip ; Meinhardt, Gerald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    TID Effects in Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors Irradiated to Ultrahigh Doses.
    Bonaldo, Stefano ; Gorchichko, Mariia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1444-1452
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS.
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 1414-1422
    Online academicJournal
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    Single-Event Effect Responses of Integrated Planar Inductors in 65-nm CMOS.
    Biereigel, Stefan ; Kulis, Szymon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-11-01), Heft 11, S. 2587-2597
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors.
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 687-696
    Online academicJournal
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    Dark Current Spectroscopy in Neutron, Proton and Ion Irradiated CMOS Image Sensors: From Point Defects to Clusters.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 27-37
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Dark Current Spectroscopy on Alpha Irradiated Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Belloir, Jean-Marc ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-08-01), Heft a4, S. 2183-2192
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Compact, Low Jitter, CMOS 65 nm 4.8–6 GHz Phase-Locked Loop for Applications in HEP Experiments Front-End Electronics.
    Mazza, Giovanni ; Panati, Serena
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-05-01), Heft 5, S. 1212-1217
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A CMOS Frontend for Scintillators Readout by Photodiodes for Nuclear Physics Experiments.
    Castoldi, A. ; Guazzoni, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 2678-2682
    Online academicJournal
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    Recoil-Ion-Induced Single Event Upsets in Nanometer CMOS SRAM Under Low-Energy Proton Radiation.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 654-664
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    Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Toulemont, Arthur ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3331-3340
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    Impact of Neutron-Induced Displacement Damage on the Multiple Bit Upset Sensitivity of a Bulk CMOS SRAM.
    Gadlage, Matthew J. ; Kay, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2722-2728
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    Similarities Between Proton and Neutron Induced Dark Current Distribution in CMOS Image Sensors.
    Virmontois, Cedric ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 927-936
    Online academicJournal
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