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    A Study of LDE on Stdcell Device Performance in Advance FinFET Technology
    Gu, Yu-Zhu ; Lu, Hai-Sheng ; et al.
    In: 2018 14th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018-10-01, S. 1-3
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A 0.4-V 8400-μm2 Voltage Reference in 65-nm CMOS Exploiting Well-Proximity Effect
    Che, C. ; Lei, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3822-3826
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Testing Significance of Layout Dependent Impacts on Silicon Chips Performance
    Kakde, Sandeep ; Khan, Nadeem
    In: 2023 3rd International Conference on Intelligent Technologies (CONIT), 2023-06-23, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Test structures for debugging variation of critical devices caused by layout-dependent effects in FinFETs
    Lin, Qi ; Pan, Hans ; et al.
    In: 2018 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2018-03-01, S. 3-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Step-by-Step Layout Transformation Approach to Differentiate How Multiple Layout Dependent Effects Modify Device and Circuit Performance
    Lu, Luke ; Xia, Kejun ; et al.
    In: 2024 IEEE 36th International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), 2024-04-15, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A Data-Driven CMP Layout-Dependent Effect Modeling Methodology
    Ji, Yu ; Chen, Lan
    In: 2023 International Symposium of Electronics Design Automation (ISEDA), 2023-05-08, S. 483-485
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of emitter doping profiles formed by industrial POCl3 processes
    Abbott, Malcolm ; Scardera, Giuseppe ; et al.
    In: 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2013-06-01, S. 1383-1388
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microstructural characterization of front-side Ag contact of crystalline Si solar cells with lightly doped emitter
    Li, Z. G. ; Mikeska, K. R. ; et al.
    In: 2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2012-06-01, S. 2196-2199
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    STI and eSiGe source/drain epitaxy induced stress modeling in 28 nm technology with replacement gate (RMG) process
    Jang, Doyoung ; Bardon, Marie Garcia ; et al.
    In: 2013 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2013-09-01, S. 159-162
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Front-side Ag contacts enabling superior recombination and fine-line performance
    Burrows, M. Z. ; Meisel, A. ; et al.
    In: 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2013-06-01, S. 2171-2175
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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