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    Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces
    Rode, Daniel L. ; Schumaker, N. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 30 (1977-01-15), S. 75-78
    Online unknown
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    Selective-area formation of Si microstructures using ultrathin SiO2 mask layers
    Ikuta, Kazuyuki ; Park, J. W. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 74 (1999-02-01), S. 653-655
    Online unknown
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    Boron‐induced morphology changes in silicon chemical vapor deposition: A scanning tunneling microscopy study
    Hamers, Robert J. ; Wang, Yajun
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-04-17), S. 2057-2059
    Online unknown
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    Are bare surfaces detrimental in epitaxial growth?
    Tromp, R. M. ; Copel, M.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-06-10), S. 2648-2650
    Online unknown
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    Low‐temperature chemical vapor deposition of epitaxial Si and SiGe layers at atmospheric pressure
    Meyer, D. J. ; W.B. de Boer
    In: Applied Physics Letters, Jg. 58 (1991-03-25), S. 1286-1288
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    Molecular beam epitaxy versus chemical vapor deposition of silicon on sapphire
    Twigg, Mark E. ; Eliezer Dovid Richmond ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-06-18), S. 2551-2553
    Online unknown
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    Epitaxial growth of Ge on 〈100〉 Si by a simple chemical vapor deposition technique
    Kuech, Thomas F. ; Mäenpää, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 39 (1981-08-01), S. 245-247
    Online unknown
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    Insituarsenic doping of epitaxial silicon at 800 °C by plasma enhanced chemical vapor deposition
    Reif, Rafael ; Comfort, James H.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-11-09), S. 1536-1538
    Online unknown
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    Low‐temperature silicon selective deposition and epitaxy on silicon using the thermal decomposition of silane under ultraclean environment
    Mikoshiba, Nobuo ; Murota, Junichi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-03-13), S. 1007-1009
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    Erratum: Recrystallization of silicon‐on‐sapphire by cw Ar laser irradiation: Comparison between the solid‐ and the liquid‐phase regimes
    Paine, B. M. ; Gat, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 38 (1981-04-15), S. 648-648
    Online unknown
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    Evaluation of depth profile of defects in ultrathin Si film on buried SiO2 formed by implanted oxygen
    Hamajima, Tomohiro ; Ogura, Atsushi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 69 (1996-09-02), S. 1367-1369
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The preparation of GaAs thin‐film optical components by molecular beam epitaxy using Si shadow masking technique
    Ilegems, M. ; Tsang, W. T.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 35 (1979-11-15), S. 792-795
    Online unknown
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    Growth of thin silicon films on sapphire and spinel by molecular beam epitaxy
    Bean, J. C.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 36 (1980-05-01), S. 741-743
    Online unknown
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