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    Insights into gold-catalyzed plasma-assisted CVD growth of silicon nanowires
    Pere Roca i Cabarrocas ; Chen, Wanghua
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-07-25), S. 043108-43108
    Online unknown
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    Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces
    Rode, Daniel L. ; Schumaker, N. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 30 (1977-01-15), S. 75-78
    Online unknown
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    Electron and hole transport in CVD Si3N4films
    Yun, Bob H.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 27 (1975-08-15), S. 256-258
    Online unknown
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    Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere
    GRÜTZMACHER, D. A ; SEDGWICK, T. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2531-2533
    Online academicJournal
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    Ultraviolet photon induced stimulation of surface reaction during growth of hydrogenated amorphous silicon : estimation of the lifetime of film precursors
    SUZUKI, A ; GAUTAM, GANGULY ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 20, S. 2806-2808
    Online academicJournal
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    Growth of undoped polycrystalline Si by an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system
    HORNG-CHIH, LIN ; HSIAO-YI, LIN ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1351-1353
    Online academicJournal
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    Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition
    SOGA, T ; JIMBO, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2543-2545
    Online academicJournal
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    Crystallized mixed-phase silicon films for thin film transistors on glass substrates
    VOUTSAS, A. T ; HATALIS, M. K
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 11, S. 1546-1548
    Online academicJournal
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    Chemical vapor deposition of rough-morphology silicon films over a broad temperature range
    DANA, S. S ; ANDERLE, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 10, S. 1387-1389
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Intermittent ultraviolet irradiation for silicon selective epitaxial growth
    MIYATA, N ; YAMAZAKI, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 6, S. 588-590
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Selective Si epitaxial growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition at very low temperature
    BAERT, K ; DESCHEPPER, P ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 4, S. 442-444
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Growth of microcrystal silicon by remote plasma chemical vapor deposition
    SUNG CHUL, KIM ; MOON HYUN, JUNG ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 3, S. 281-283
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition
    CUNNINGHAM, B ; CHU, J. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3574-3576
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    Shallow junction formation by dopant diffusion from in situ doped polycrystalline silicon chemically vapor deposited in a rapid thermal processor
    HSIEH, T. Y ; CHUN, H. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 18, S. 1778-1780
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Record low SiO2/Si interface state density for low temperature oxides prepared by direct plasma-enhanced chemical vapor deposition
    CHEN, Z ; YASUTAKE, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 15, S. 2117-2119
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Phosphorus doping of epitaxial Si and Si1-xGex at very low pressure
    SYUN-MING, JANG ; LIAO, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 12, S. 1675-1677
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Aluminum selective area deposition on Si using diethylaluminum chloride / Dépôt à aire sélective de l'aluminium sur Si en utilisant le diéthyle de chlorure d'aluminium
    SASAOKA, C ; MORI, K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 8, S. 741-743
    Online academicJournal
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    Windowless helium lamp assisted chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon
    ZARNANI, H ; YU, Z. Q ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 53 (1988), Heft 14, S. 1314-1316
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    Silicon epitaxial growth on (100) patterned oxide wafers at 800°C by ultralow-pressure chemical vapor deposition
    TRI-RUNG YEW, K ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 21, S. 1797-1799
    Online academicJournal
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