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    (Invited) Heterogeneous Integration of Silicon CMOS Electronics and Compound Semiconductor Electronics for Miniature RF Photonic Transceivers
    Alford, Charles ; Hemmady, Caroline ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 98 (2020-09-08), S. 93-106
    Online unknown
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    (Invited) On the Potential of Lateral BJTs and SiGe HBTs in Advanced CMOS Technologies
    Koricic, Marko ; Osrecki, Zeljko ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 98 (2020-09-08), S. 111-117
    Online unknown
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    (Invited) Post-CMOS Compatible Silicon MEMS Nano-Tactile Sensor for Touch Feeling Discrimination of Materials
    Takao, Hidekuni
    In: ECS Transactions, Jg. 97 (2020-04-24), S. 79-90
    Online unknown
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    Wafer Level Statistical Evaluation of the Proton Radiation Hardness of a High-k Dielectric/Metal Gate 45 nm Bulk CMOS Technology : High purity silicon
    Claeys, C. ; Iacovo, S. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 5, S. 213-224
    Konferenz
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    Introduction of New Materials into CMOS Devices : High purity silicon
    Iwai, H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 5, S. 13-22
    Konferenz
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    (Invited) The New Silicon Industry: Silicon CMOS ASICs Incorporating Compound Semiconductors
    Fitzgerald, Eugene A.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-20), S. 109-112
    Online unknown
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    Probing Nanoscale Local Lattice Strains in Advanced Si CMOS Devices by CBED: A Tutorial with Recent Results : Silicon materials science and technology
    Kim, M. ; Huang, J. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 541-548
    Konferenz
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    Mobility Enhancement and Strain Integration in Advanced CMOS : Silicon materials science and technology
    Diaz, C. H.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 341-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Scaled CMOS with SiON and High-k : Silicon materials science and technology
    Ishimaru, K. ; Takayanagi, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 317-328
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Front-End Process Technology for hp65/45 CMOS Devices : Silicon materials science and technology
    Nara, Y. ; Ootsuka, F. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 2 (2006), Heft 2, S. 27-32
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fabrication of Directly Bonded Si Substrates with Hybrid Crystal Orientation for Advanced Bulk CMOS Technology : High purity silicon
    Bourdelle, K. ; Rayssac, O. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 4, S. 409-416
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    (Invited) Ultralow-Voltage Design and Technology of Silicon-on Thin-Buried-Oxide (SOTB) CMOS for High Energy Efficient Electronics in IoT Era
    Yamamoto, Yoshiki ; Makiyama, Hideki ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-27), S. 43-48
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    (Invited) Heterogeneous Integration of III-V Devices and Si CMOS on a Silicon Substrate
    LaRoche, J. R. ; Kazior, Thomas E. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 1039-1045
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    (Invited) Heterogeneous Integration of InP HBTs on CMOS: Leveraging and Providing Value to Conventional Silicon Technologies
    Le, Dustin ; Royter, Yakov ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 1047-1054
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    (Invited) Advanced Heterogeneous Integration of InP HBT and CMOS/SiGeBiCMOS Technologies
    Oyama, B. ; Poust, Ben ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), S. 161-168
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Very High Performance CMOS on Si(551) Surface using Radical Oxidation Silicon Flattening Technology and Accumulation-mode SOI Device Structure
    Ohmi, Tadahiro ; Cheng, Weitao ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 115-129
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High-k Dielectrics and Interface Passivation for Ge and III/V Devices on Silicon for Advanced CMOS
    Houssa, Michel ; Dennis K.J. Lin ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 25 (2009-09-25), S. 51-65
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Adding New Capabilities to Silicon CMOS Integrated Circuits via Deterministic Assembly
    Morrow, Thomas J. ; Lin, Lan ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 41 (2011-10-04), S. 231-237
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    (Invited) Aspect Ratio Trapping: A Unique Technology for Integrating Ge and III-Vs with Silicon CMOS
    Li, Jizhong ; Li, Jason ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 33 (2010-10-01), S. 963-976
    Online unknown
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    Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies
    Narayanan, Vijay ; Yingan, Wang ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 6 (2007-04-27), S. 287-294
    Online unknown
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