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    CMOS-Integrated Poly-SiGe Piezoresistive Pressure Sensor
    GONZALEZ, P ; RAKOWSKI, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 8, S. 1204-1206
    Online academicJournal
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    Vertical Silicon Nanowire Gate-All-Around Field Effect Transistor Based Nanoscale CMOS
    MAHESHWARAM, Satish ; MANHAS, S. K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 8, S. 1011-1013
    Online academicJournal
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    Volltext
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    CMOS-Compatible Vertical-Silicon-Nanowire Gate-All-Around p-Type Tunneling FETs With < 50-mV/decade Subthreshold Swing
    GANDHI, Ramanathan ; ZHIXIAN, CHEN ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1504-1506
    Online academicJournal
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    Millimeter-Wave Passives in 45-nm Digital CMOS
    JINGLIN, SHI ; KAI, KANG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1080-1082
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Miniature CMOS Stacked Spiral-Coupled Directional Coupler With ―67-dB Isolation and ―0.8-dub Insertion Loss
    LE, YE ; YONGAN, ZHENG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 7, S. 919-921
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Effects of Guard-Ring Structures on the Performance of Silicon Avalanche Photodetectors Fabricated With Standard CMOS Technology
    LEE, Myung-Jae ; RÜCKER, Holger ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 1, S. 80-82
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Highly Scalable Interface Fuse for Advanced CMOS Logic Technologies
    YANG, Li-Yu ; HSIEH, Min-Che ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 245-247
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Zero-Mask Contact Fuse for One-Time-Programmable Memory in Standard CMOS Processes
    MIN, SHI ; JIN, HE ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 7, S. 955-957
    Online academicJournal
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    Volltext
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    A CMOS-MEMS Thermopile With Low Thermal Conductance and a Near-Perfect Emissivity in the 8-14-μm Wavelength Range
    CHEN, Chung-Nan ; HUANG, Wen-Chie
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 1, S. 96-98
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    65-nm CMOS Monolithically Integrated Subterahertz Transmitter
    XIN, HU ; TRIPODI, Lorenzo ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 9, S. 1182-1184
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Benchmarking of III-V n-MOSFET Maturity and Feasibility for Future CMOS
    DOORNBOS, Gerben ; PASSLACK, Matthias
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 10, S. 1110-1112
    Online academicJournal
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    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    CMOS Process-Compatible High-Power Low-Leakage AlGaN/GaN MISHEMT on Silicon
    VAN HOVE, Marleen ; BOULAY, Sanae ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 5, S. 667-669
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication of La0.7Sr0.3MnO3―Si Heterojunctions Using a CMOS-Compatible Citric Acid Etch Process
    RAJAGOPAL, Rajashree ; KALE, S. N ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 3, S. 402-404
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Chip-Level Thermoelectric Power Generators Based on High-Density Silicon Nanowire Array Prepared With Top-Down CMOS Technology
    LI, Y ; BUDDHARAJU, K ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 5, S. 674-676
    Online academicJournal
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    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A CMOS-Process-Compatible ZnO-Based Charge-Trap Flash Memory
    SEO, Yujeong ; MIN YEONG, SONG ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 2, S. 238-240
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process
    YI, SONG ; HUAJIE, ZHOU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 31 (2010), Heft 12, S. 1377-1379
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simple Fabrication of a Three-Dimensional CMOS Inverter Using p-Type Poly-Si and n-Type Amorphous Ga―In―Zn―O Thin-Film Transistors
    GUANGHAI, JIN ; CHOI, Jonghyun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 9, S. 1236-1238
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Schottky barrier diodes for millimeter wave detection in a foundry CMOS process
    SANKARAN, Swaminathan ; O, Kenneth K
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 7, S. 492-494
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-performance 0.10-μm CMOS devices operating at room temperature
    IWASE, M ; MIZUNO, T ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 14 (1993), Heft 2, S. 51-53
    Online academicJournal
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    Operating CMOS after a Si-MBE process : a procondition of future three-dimensional circuits
    KONIG, U ; KUISL, M ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 11 (1990), Heft 5, S. 218-220
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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