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    Elastic strain and dopant activation in ion implanted strained Si nanowires.
    Minamisawa, R. A. ; Habicht, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-15), Heft 12, S. 124908-1- (9S.)
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    Molecular simulation on interfacial structure and gettering efficiency of direct silicon bonded (110)/(100) substrates.
    Kariyazaki, Hiroaki ; Aoki, Tatsuhiko ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-08-01), Heft 8, S. 113509-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    Formation and thermal stability of ultra-shallow p+ junctions in Si and Si1-xGex formed by molecular beam epitaxy.
    Thompson, P. E. ; Bennett, J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-01), Heft 11, S. 6845-6850
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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