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    academicJournal
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    A transient noise simulation model for the analysis of the optimal number of stages of the analog accumulator in TDI CMOS image sensors.
    Nie, Kaiming ; Li, Jianxin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 70-77
    academicJournal
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    academicJournal
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    Design of a fully CMOS compatible 3-μm size color pixel
    Langfelder, Giacomo
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-02-01), S. 169-173
    Online unknown
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    Sub-10 MeV proton-induced single-event transients in 65 nm CMOS inverter chains
    Zhenyu, Wu ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 125 (2021-10-01), S. 114366-114366
    Online unknown
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    academicJournal
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    Effect of the pre-gate oxide cleaning temperature on the reliability of GOI and devices performances in deep submicron CMOS technology
    Lin, Chun-Sheng ; Chiang, Yen-Ting ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 48 (2008-11-01), S. 1786-1790
    Online unknown
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    Impact and damage on deep sub-micron CMOS technology induced by substrate current due to ESD stress
    Vallet, Michel ; Beltritti, J. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-09-01), S. 1107-1110
    Online unknown
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    Laser beam backside probing of CMOS integrated circuits
    Kasapi, Steven ; Somani, Seema ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-06-01), S. 957-961
    Online unknown
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    Building in reliability with latch-up, ESD and hot carrier effects on 0.25μm CMOS technology
    Bonis, M. ; Guegan, G ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-10-01), S. 1547-1552
    Online unknown
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    Impact of geometrical scaling on parasitic pnp bipolar transistor in N-well, 0.25μm CMOS devices and its effect on latchup immunity
    Chan, Lap ; Lin, Po-Ching ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-10-01), S. 1621-1626
    Online unknown
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    academicJournal
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    Stacked CMOS circuits integrated in laser-recrystallized silicon films
    Hilleringmann, Ulrich ; Goser, K.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 32 (1992-07-01), S. 941-944
    Online unknown
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Symmetrical ESD protection for advanced CMOS technology dedicated to 100GHz RF application.
    Galy, Ph. ; Lim, T. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 53 (2013-09-01), Heft 9-11, S. 1284-1287
    academicJournal
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    Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stack––a highly potential gate dielectrics for advanced CMOS technology
    Nakajima, Anri ; Yokoyama, Shin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 42 (2002-12-01), S. 1823-1835
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Generating sub-1V reference voltages from a resistorless CMOS bandgap reference circuit by using a piecewise curvature temperature compensation technique
    Tam, Wing-Shan ; Wong, Oi-Ying ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-08-01), Heft 8, S. 1054-1061
    academicJournal
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    Design of a fully CMOS compatible 3-μm size color pixel
    Langfelder, G.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-02-01), Heft 2, S. 169-173
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A review of CMOS latchup and electrostatic discharge (ESD) in bipolar complimentary MOSFET (BiCMOS) Silicon Germanium technologies: Part II—Latchup
    Voldman, Steven H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-03-01), Heft 3/4, S. 437-455
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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